半导体材料绪论第一章.ppt

半导体材料 廖 晓 明 sherman_xm@163.com 绪 论 Introduction Aims of the course two examples: Solar cell/ Copyflo Contents of the course 先修课程：大学物理、材料科学基础、无机材料物理化学、新型无机材料 两大问题：能源、环境 目前，全世界所消耗的电力仅占太阳到达地球能量的0.0003％而已。 太阳光电池原理 太阳光电池主要功能是将光能转换成电能，这个现象称之为光伏效应( photo voltaic effect )。之所以能将光能转换成电能主要有两个因素：一是光导效应( photo conductive effect )，二是内部电场。 我国太阳能电池的瓶颈及多晶硅热 2004年我国多晶硅产量只有60t，即使全部用于光伏电池产业，也仅够市场需要的2.6%，其余部分全部依赖进口。 2005年，我国对多晶硅的需求为3800 t，其中光伏产业2690 t，缺口更大。 重庆万洲投资100亿元，将打造世界多晶硅之都； 云南曲靖投资100 亿元的多晶硅项目(一期3000 t)，于2006年4月7日正式奠基； 宁夏石嘴山5000 t多晶硅项目，计划投资也近100亿元； 辽宁凌海1000 t计划，内蒙古乌海1000 t计划，山东省枣庄500 t计划等也将陆续实施。 国家体育馆安装太阳能电池玻璃幕墙 该工程累计使用25年可生产232万度电能。 例2：静电复印技术-硒的应用 第一章 半导体物理基础 1.1能级与能带 1.2 本征半导体与杂质半导体 1.3 金属-半导体接触 1.4异质结 1.5半导体效应 第二章 半导体材料分类与发展趋势 第三章 半导体材料制备技术 第四章 半导体器件基础 4.1半导体器件制作一般工艺 4.2二极管和三极管 4.3 集成电路 第五章 元素半导体材料 5.1硅、锗的制备 5.2区熔提纯 5.3硅、锗单晶生长 5.4硅、锗中的杂质和缺陷 5.5硅的外延生长 第六章III-V族化合物半导体 6.1 单晶制备 6.2外延生长 6.3多元化合物半导体 第七章II-VI族化合物半导体 7.1 单晶制备 7.2 点缺陷与自补偿 7.3多元化合物半导体 第八章 氧化物半导体 第九章 其它半导体材料 主要参考资料 《半导体材料浅释》，万群，化学工业出版社，1999 《图解半导体基础》，水叶文夫, 鹰野致和, 彭军译，科学出版社，2007 《半导体物理学》，刘恩科, 朱秉升, 罗晋生等，电子工业出版社，2004 《半导体器件的材料物理学基础》，陈治明, 王建龙，科学出版社，1999 《常用半导体器件及模拟电路》，陈永甫，人民邮电出版社，2006 教学安排 讲授+讨论+课堂、课后作业 期末考试60%+课堂讨论、作业30%+考勤10% 第一章 半导体物理基础 第一章 半导体物理基础 1.1能级与能带 掌握基本概念：能级、能带、满带、空带、禁带、导带、价带、能带间隙、自由电子、空穴、载流子 1.2本征半导体与杂质半导体 掌握基本概念、现象、效应 1.2本征半导体与杂质半导体 半导体(Semiconductor)指电导率介于导体与绝缘体之间的材料。其能量系统分为许可能带和禁带，半导体禁带宽度很窄，在室温下由热激发可引起电离而导电。其基本特性有：本征半导体的电阻率随温度的上升而下降；导电性随外界条件影响大，例光照、辐射，尤其是掺杂可显著地改变导电性；温差效应和霍尔效应比金属明显得多等。分为元素半导体(硅、锗等)，化合物半导体(GaAs、CdS等)，非晶半导体(非晶硅)、有机半导体等。可用于制成二极管、三极管、集成电路、整流器、太阳能电池、激光器及各种敏感器件(如光敏、色敏、气敏、热敏等)。 1.2.1基本概念 本征半导体(Intrinsic semiconductor) 不含杂质的纯净半导体。载流子是由本征激发产生的，且形成的电子数目ne与空穴的数目nh相同。电阻率一般随温度的上升而下降，与金属恰好相反。纯净半导体中价带电子获得足够的热能跃迁到导带，成为导电电子，同时在价带产生空穴的过程，称为本征激发(Intrinsic excitation)， 其特点是电子和空穴成对产生。 杂质半导体(Impurity semiconductor) 通过杂质引入额外电子或空穴而改变材料导电性的半导体。载流子是由杂质激发产生，可分为给出电子至导带的n型半导体和接受价带电子的p型半导体。半导体中电子从施主能级跃迁到导带成为导电电子，或空穴从受主能级跃迁到价带形成自由空