固态图像传感器与普通的图像传感器比.PDF

CCD 传感器及其应用研究 摘要：固态图像传感器与普通的图像传感器比，具有体积小、失真小、灵敏度高、抗振动、 耐潮湿、成本低的特点。这些特色决定了它可以广泛用于自动控制和自动测量，尤其是适用 于图像识别技术中。本文从分析固态图像传感器的原理出发，着重对它在测控及图像识别领 域进行分析和探讨。 关键词：CCD 传感器，固态图像传感器，测控，图像识别 一、引言 图像传感器是利用光电器件的光一电转换功能，将其感光面上的光像转换为与光像成相应比 例关系的电信号“ 图像” 的一种功能器件。 固态图像传感器是指在同一半导体衬底上布设的若干光敏单元与移位寄存器构成的集成化、 功能化的光电器件。光敏单元简称为“像素”或“像点”，它们本身在空间上、电气上是彼此独 立的。固态图像传感器利用光敏单元的光电转换功能将投射到光敏单元上的光学图像转换成 电信号“ 图像”，即将光强的空间分布转换为与光强成比例的、大小不等的电荷包空间分布。 然后利用移位寄存器的功能将这些电荷包在时钟脉冲控制下实现读取与输出，形成一系列幅 值不等的时序脉冲序列。 固态图像传感器与普通的图像传感器比，具有体积小、失真小、灵敏度高、抗振动、耐潮湿、 成本低的特点。这些特色决定了它可以广泛用于自动控制和自动测量，尤其是适用于图像识 别技术中。本文从分析固态图像传感器的原理出发，着重对它在测控及图像识别领域进行分 析和探讨。 二、电荷祸合器件及工作原理 电荷藕合器件〔ChargeCoupleDevices，简称CCD)，是固态图像传感器的敏感器件，与普通 的MOS,TTL 等电路一样，属于一种集成电路，但CCD 具有光电转换、信号储存、转移(传 输) 、输出、处理以及电子快门等多种独特功能。 电荷祸合器件CCD 的基本原理是在一系列MOS 电容器金属电极上，加以适当的脉冲电压， 排斥掉半导体衬底内的多数载流子，形成“势阱” 的运动，进而达到信号电荷(少数载流子) 的 转移。如果所转移的信号电荷是由光像照射产生的，则CCD 具备图像传感器的功能;若所转 移的电荷通过外界注入方式得到的，则CCD 还可以具备延时、信号处理、数据存储以及逻 辑运算等功能。 电荷祸合器件CCD 的基本原理与金属一氧化物一硅(MOS) 电容器的物理机理密切相关。因 此。首先分析MOS 电容器原理。 图1 是热氧化P 型Si(p-Si)衬底上淀积金属而构成的一只MOS 电容器，若在某一时刻给它 的金属电极加上正向电压咋，p-Si 中的多数载流子(此时是空穴)便会受到排斥，于是，在Si 表面处就会形成一个耗尽区。这个耗尽区与普通的pn 结一样，同样也是电离受主构成的空 间电荷区。并且，在一定条件下，凡越大，耗尽层就越深。这时，Si 表面吸收少数载流子(此 时是电子) 的势(即表面势V;)也就越大。显而易见，这时的MOS 电容器所能容纳的少数载流 子电荷的量就越大。据此，恰好可以利用“表面势阱”(简称势阱)这一形象比喻来说明 MOS 电容器在V;(或说在玲)作用下存储(信号) 电荷的能力。习惯上，把势阱想象作一个桶，把少 数载流子(信号电荷)想象成盛在桶底上的流体。在分析固态器件时，常常取半导体衬底内的 电位为零，所以，取表面势环的正值增方向朝下更方便( 图1(b))。 图3 MOS 电容器及其表面势阱概念 表面势V;是一个非常重要的物理量。在图1Ca)所示的情况下，若所加Vc 不超过某限定值时， 则表面势为: 上式是由半导体内电位分布的泊松方程求解得到的。因为Xa 是受VG 控制的，所以V;也是 Vc 的函数。 CD 的电荷(少数载流子) 的产生有两种方式:电压信号注入和光信号注入。作为图像传感器， CCD 接收的是光信号，即光信号注入法。当光信号照射到CCD 硅片上时，在栅极附近的耗 尽区吸收光子产生电子一空穴对。这时在栅极电压的作用下，多数载流子(空穴)将流入衬底， 而少数载流子( 电子)则被收集在势阱中，形成信号电荷存储起来。 这样高于半导体禁带宽度的那些光子，就能建立起正比于光强的存储电荷。 由许多个MOS 电容器排列而成的CCD，在光像照射下产生光生载流子的信号电荷，再使其 具备转移信号电荷的自扫描功能，即构成固态图像传感器。 图2 是光导摄像管与固态图像传感器的基本原理比较。图2ta) 中，当入射光像信号照射到摄 像管中间电极表面时，其上将产生与各点照射光量成比例的电位分布，若用电子束扫描中间 电极，负载Rl 上会产生变化的放电电流。由于光量不同而使负载电流发生变化，这恰是所 需的输出电信号。所用电子束的偏转或集束，是由磁场或电场控制实现的。 图2 光导摄像管与固态图像传感器的基