第十三讲——异质结双极型晶体管HMET和HIGFET的伏安模型（12....PDFVIP

第十三讲——异质结双极型晶体管 l HMET 和HIGFET 的伏安模型 （12 讲的继续） 直流模型 ——非速度饱和 ——速度饱和 小信号线性等效电路 高频极限——ωT,ωmax l 双极结晶体管 （BJT ） 单质结BJT 的复习：伏安特性 小信号线性等效电路 高频特性 l 异质结双极型晶体管 （HBT ） 历史回顾：Shockley 和 Kroemer, 动机 异质结影响的系统回顾： ——发射极 ——基极 ——集电极 总结-将其放在一个器件中 双极结晶体管复习 要理解和对BJT 建模，我们首先要确定： 然后我们还会将表达式重新写成一个对很多应用更方便的形式： BJT 特性的埃伯斯-莫尔 （Ebers-Moll ）模型 将问题分解为两个独立的部分，正向和逆向： 对于正向部分，有： 为将上式化为较方便的形式，我们定义发射极和基极缺陷： BJT 特性的Ebers-Moll 模型 （续） 再定义发射极饱和电流，IES ，和正向 α，αF： 由这些定义，我们有： 解基极电流得： 最后，我们注意到通过定义正向 β,βF,可以很方便的联系 iBF和iCF： BJT 特性的Ebers-Moll 模型 （续） 同样，对逆向部分，我们得到： 其中，我们做了类似的定义： 综合正向和逆向部分，我们得到完全特性公式： BJT 特性的Ebers-Moll 模型 （续） 我们主要在BJT 的正向作用区使用他们，即在VBEkT/q 和VCE0 时，此时我们通 常可以忽略电流得逆向部分，将其写为： 我们关心的是iB 和iC ，有： 其中我们使用了前面定义的正向 β,βF。 BJT 特性的Ebers-Moll 模型 （续） 我们对于BJT 设计的目标是得到较大的正向 β,βF。为了理解我们如何做到这一点， 我们用缺陷，然后用器件参数来表示 β： 上式中我们假设，δBδE，此假设在基极宽度很小的情况下一般成立： 从 βF的结果中我们马上可以得到BJT设计的原则： Ebers-Moll 正向，VBE0,VBC=0 设计良好的结构：NDENAB ,wELhE,wBLeB BJT 特性（npn 型） BJT 模型 正向工作区： VBE0.6V VCE0.2V ( 即VBC0.4V) iR 可以忽略 ————————〉 其他区 截止区： VBE0.6V 饱和区： VCE0.2V 用异质结改进BJT ：综述 历史回顾： 最早的在BJT 中使用异质结的想法是通过减小发射极缺陷来增加 β。这种可能最 早由Shockley 在他最初的晶体管专利（1950 年）中提出，并且由Herb Kroemer 在他 1958 年的论文中详细阐述。他在