绝缘栅双极晶体管（IGBT）的设计要点-江苏宏微科技股份有限公司.PDFVIP

绝缘栅双极晶体管（IGBT）的设计要点    赵善麒、张景超、刘利峰、王晓宝    江苏宏微科技有限公司    作为新型电力半导体器件的主要代表，IGBT 被广泛用于工业、信息、新能源、医学、 交通、军事和航空领域。随着半导体材料和加工工艺的不断进步，IGBT 的电流密度、耐压 和频率不断得到提升。目前，市场上的IGBT 器件的耐压高达6500V，单管芯电流高达200A， 频率达到300kHz 。在高频大功率领域，目前还没有任何一个其它器件可以代替它。本文着 重分析讨论IGBT 器件的设计要点。    一、IGBT 的基本结构和工作原理  从图1 可以看出，IGBT 是一个复合器件，由一个MOSFET 和一个PNP 三极管组成，也 可以把它看成是一个VDMOS 和一个PN 二极管组成。图2 是IGBT 的等效电路。            Rb       Injection layer          图1   IGBT 原胞的基本结构                简化为  或              图2   IGBT 器件的等效电路图      1. IGBT 的 静态特性  常规IGBT 只有正向阻断能力，由PNP 晶体管的集电结承担，而其反向的电压 承受能力只有几十伏，因为PNP 晶体管的发射结处没有任何终端和表面造型。   IGBT 在通态情况下，除了有一个二极管的门槛电压（0.7V 左右）以外，其输出 特性与VDMOS 的完全一样。图3  一并给出了IGBT 器件的正、反向直流特性曲线。  IGBT  的主要静态参数：  阻断电压V （ ） – 器件在正向阻断状态下的耐压； BR CES 通态压降VCE(on) – 器件在导通状态下的电压降； 阈值电压VGEth – 器件从阻断状态到导通状态所需施加的栅极电压 VG 。