晶体管原理与设计（微电子器件）第3-8章.pptVIP

这时 与 的区别仅在于用 代替 。 的频率特性主要由 WB 和 决定，即 讨论两种情况 (1) 对截止频率不是特别高的一般高频管，例如 fa 500 MHz 的高频晶体管，基区宽度 WB 1 ?m，此时 ， * （2）对 fa 500 MHz 的现代微波管，WB 1 ?m，?b 只占?ec 中的很小一部分， 　 就更小了，因此，可忽略　　，得 * 6、共发射极高频小信号短路电流放大系数及其截止频率 将　　　　　　　　　　 代入，得 若忽略　　，得 * 的截止角频率 和 截止频率，记为 和 ，即 定义：当　　 下降到 　　 时的角频率和频率分别称为　 这时 又可表为 * 与 的关系 在忽略　　的情况下，　 所以 * 3.8.4 晶体管的特征频率 1、 随频率的变化 * 在此频率范围内， ic 比 ib 滞后 900 ，且 与 f 成反比，即 频率每加倍， 减小一半。由于功率正比于电流的平方，所以 频率每加倍，功率增益降为 1/4 。 * 定义：当 降为 1 时的频率称为 特征频率 ，记为 fT 。 由 ，可解得 2、特征频率的定义 因 所以 fT 可表为 * 对于 fa 500 MHz 的现代微波管，可忽略 ，这时 对于 fa 500 MHz 的晶体管，?ec 中以 ?b 为主，这时 * 当 WB 较大， fT 较低时，提高 fT 的主要措施是减小 WB 。但当 WB 已很小时，仅靠减小 WB 来提高 fT 的作用就开始减弱。特别是当 WB 0.1 ?m 后，再减小 WB 对提高 fT 几乎不起多少作用，反而产生诸如提高 rbb’ ，降低 VA 等副作用。 * 可得 的关系曲线 也有类似的频率特性。 由 * 实际测量 fT 时，不一定要测到使 下降为 1 时的频率，而是在 的条件下测量 （ 可以大于 1 ），然后根据 ，即可得到 由于上式，fT 又称为晶体管的 增益带宽乘积。 高频管的工作频率一般介于 fβ 与 fT 之间。 3、特征频率的测量 * 4、特征频率随偏置电流的变化 * 小电流时,随着 IE 或 IC 的增大，?eb 减小，使 fT 提高，所以 fT 在小电流时随电流的增大而提高 。但是当电流很大时，?eb 的影响变小，甚至可以略去。 大电流时，当基区发生纵向扩展 ?WB 时，使基区渡越时间 ?b 增加。同时，集电结势垒区厚度将减小 ?WB ，使集电结势垒区延迟时间 ?d 变小，使 CTC 增加。由于 ?b 与 CTC 的增加要比 ?d 的减小大得多，所以 fT 在大电流时随电流的增大而降低。 * 代入表 3-4 的参数，经计算可得 由于忽略了一些次要因素，实际的 fT 可能只有 7 GHz 左右。 例：某高频晶体管具有如表 3-4 所示的参数，计算其 fT 。 * 对 ?b 的修正 3.8.5 影响高频电流放大系数与特征频率的其它因素 CTC 中还应包括延伸电极的寄生电容，等等。 发射区延迟时间 E B C * 第 3 章第 2 次习题 20、22、48、58、59、65、68 * 3.8 电流放大系数与频率的关系 晶体管放大高频信号时，首先用被称为 “偏置” 或 “工作点” 的直流电压或直流电流使晶体管工作在放大区，然后 把欲放大的高频信号叠加在输入端的直流偏置上 。 当 信号电压的振幅远小于 ( kT/q ) 时，称为 小信号。这时晶体管内与信号有关的各电压、电流和电荷量，都由直流偏置和高频小信号两部分组成，其高频小信号的振幅都远小于相应的直流偏置。各高频小信号电量之间近似地成 线性关系 。 电