在矽基材与氮化镓基材上利用阳极氧化铝制作奈米级光罩-国立交通大学.pdfVIP

在矽基材與氮化鎵基材上利用陽極氧化鋁製作奈米級光罩 研究生：余子強 指導教授：李威儀 博士 國立交通大學電子物理研究所 中文摘要 本研究首先在矽基材上藉由附著層(Ti)成功地製備出多孔性氧化鋁模板，接 著分別使用草酸及硫酸兩種不同電解液、調變操作電壓與改變溫度來了解這些參 數對模板的孔徑大小與孔洞密度的影響，進而能得知該如何控制孔徑與密度的技 術，由於最終目的是要結合在氮化鎵磊晶技術 上，所以利用在矽基材上製備多孔 性氧化鋁的技術應用在氮化鎵基材上，不過在陽極氧化時發現會有薄膜的脫落， 因此為了改善這樣的情況，試著加厚 鋁層的厚度或降低操作電壓來達到目的，由 於此兩種方法都可以改善薄膜剝離的情形，另外為了使多孔性氧化鋁模板在磊晶 技術上結合性更高，便把附著層Ti換成SiO2 ，但因為氧化鋁厚度的增加會使得 在磊晶技術上應用不方便，故在SiO 2 上使用降低操作電壓(約20V)膜脫落的問題。 誌謝 感謝我的父母多年來對我的栽培與鼓勵，讓我可以順利完成學業，再一次感 謝我的父母。也感謝我的指導教授李威儀教授，提供一個完善的研究環境與及細 心地指導使我可以順利地完成碩士學位。同時也要感謝李世昌學長、李奇霖學 長、黃信雄學長、蕭豐格學長與葉淑梅大姐對我的指導與幫忙。同時也要謝謝李 威儀老師實驗室的成員彥偉與虹諭與學弟的幫忙並與我度過這充實的兩年。另外 還要感謝中科院曾提供協助的人員，謝謝大家 ，使我可以順利地完成我的學業。 目錄 中文摘要 Ⅰ 誌謝 Ⅱ 目錄 Ⅲ 表目錄 Ⅳ 圖目錄 Ⅴ 第一章 導論與研究動機 1 第二章 多孔性氧化鋁成長原理 7 ２－１ 鋁的陽極氧化 7 ２－２ 氧化鋁結構 10 ２－３ 多孔性氧化鋁形成機制 11 ２－４ 多孔性氧化鋁的結構特徵 16 ２－５ 多孔性氧化鋁常見的製作方法