金氧半二极体电晶体及其电性讨论.PDF

MOSFET 為一四端元件，。 由一個 MOS二極體與兩個相鄰的pn  功能的BJT （雙極性電晶體）： 面積小，可增加積體電路密度。 製程步驟較少，製造成本較低。 製成CMOS (NMOS + PMOS) 6.1 MOS二極體  為MOSFET 氧化層及半導體。 氧化層的厚度 通常 Si 正偏壓時，V為正；反之，V為負。 6.1.1 The Ideal MOS Diode 理想的 MOS二極體定義： 在沒有外加偏壓時 （即熱平衡狀態 ） ， 半導體功函數q的能量差為零 ，即 功函數差q s ms 其中q :為費米能階E和本質費米能階 E的能量差 B F i qχ:半導體電子親和力 換句話說 ，當無外加偏壓 ，能帶是平的 （ flat band condition) 。 理想的 MOS二極體能帶圖 閘極無偏壓時 (V=0)的 p-type半導體MOS 理想的 MOS二極體定義（續）  於任意偏壓下 ，二極體裡 的電荷只有半導體電荷和 靠近氧化層的金屬表面電 荷兩種 ，二者的電量相同 但極性相反 。 在 DC偏壓下，沒有載子流 過氧化層，即氧化層的電 阻是無限大。  綜合以上所述，可知理想 的 MOS二極體相當於一個 平行板電容器的特性 非平衡狀態下之能帶圖（p型）  曲。  半導體的載子密度和能量差呈指數關係, (Ei EF ) / kT p n e i p 能帶圖彎曲使 E 與E F i 聚積 (accumulation): V 0 空乏(depletion): V 0 反轉 (inversion): V 0 非平衡狀態下之能帶圖（p型） V 0 ，因於表面形成電洞堆積，故稱 電洞受電場影響上移 E更靠近 E F v 於表面形成電洞堆積 非平衡狀態下之能帶圖（p V 0 ，因電洞遠離表面，故形成空乏區。 E更遠離 E F v V 非平衡狀態下之能帶圖（p V 時0 ，E 遠離 E 且E已超過 E ，此種情形為n F v F i 故 p型半導體表面之載子變為電子 ，稱為反轉 。 非平衡狀態下之能帶圖 （n型） V 0時， E 遠離 E 且E已超過 Ei ， F c F 此種情形為p型之能帶，故 n型半導 體表面之載子變為電洞。 非平衡狀態下之能帶圖（p型）