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光电参数的实质性结构是半导体结核心部分由型半导体和型半导体组成的晶片在型半导体和型半导体之间有一个过渡层称为结其发光原理可以用结的能带结构来做解释制作半导体发光二极管的半导体材料是重掺杂的热平衡状态下的区有很多迁移率很高的电子区有较多的迁移率较低的空穴在常态下及结阻挡层的限制二者不能发生自然复合而当给结加以正向电压时由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反因此势垒高度降低势垒区宽度变窄破坏了结动态平衡产生少数载流子的电注入空穴从区注入区同样电子从区注入到区注入的少数载流子将同该区的多数载流子复
LED光电参数LED的实质性结构是半导体PN结，核心部分由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。其发光原理可以用PN结的能带结构来做解释。制作半导体发光二极管的半导体材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。在常态下及PN结阻挡层的限制，二者不能发生自然复合，而当给PN结加以正向电压时，由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反，因此势垒高度降低，势垒区宽度变窄，破坏了PN结动态平衡，产生少数载流子的电注入[16]。空穴从P区注入N区，同样电子从N区注入到P区，注入的少数载流子将同该区的多数载流子复
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