量子反常霍尔效应的试验发现-物理研究所网上办公系统.PDFVIP

推荐国家自然科学奖项目公示 项目名称 量子反常霍尔效应的实验发现 推荐单位 中国物理学会 推荐单位意见： 我单位认真审阅了该项目推荐书及附件材料，确认全部材料真实有效，相关栏目均 符合国家科学技术奖励工作办公室的填写要求。 在实验上发现量子反常霍尔效应，是凝聚态物理学的重要难题之一。该项目以实验 实现量子反常霍尔效应为目标，深入研究了拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长、磁性掺 杂、表面电子态、输运性质，以及对薄膜电子结构、磁有序态和能带拓扑结构的精密调 控手段。最终在世界上首次实验发现了量子反常霍尔效应，并取得了相关的一批具有国 际领先水平的研究成果。项目8 篇代表性论文中有2 篇发表于Science，2 篇发表于Nature 系列期刊，2 篇发表于Phys. Rev. Lett. ，2 篇发表于Adv. Mater. 。目前已被SCI 他引1780 次，单篇最高SCI 他引504 次，有5 篇论文SCI 他引超过100 次，7 篇论文入选ESI 1% 高被引论文，在国际相关领域中产生了巨大影响。对照国家自然科学奖授奖条件，推荐 该项目申报2017 年度国家自然科学奖一等奖。 项目简介： 本项目属物理科学中的凝聚态物理领域。 量子霍尔效应在凝聚态物理研究中占据着极其重要的位置，在强磁场中多种量子霍 尔效应的实验发现先后三次斩获诺贝尔物理奖。量子反常霍尔效应是一种不需要外加磁 场、基于全新物理原理的量子霍尔效应，不但是很多新奇量子现象实现的基础，还是量 子霍尔效应得到应用的关键。早在1988年，人们就已经从理论上提出了零磁场量子霍尔 效应存在的可能性，但二十多年来没有任何实质性的实验进展。在实验上实现量子反常 霍尔效应，是近些年来凝聚态物理学的重大科学目标之一。本项目以攻克此效应为目标， 在张首晟、方忠等人理论工作的基础上，深入研究了拓扑绝缘体薄膜的分子束外延生长、 磁性掺杂、表面电子态的性质，研究了薄膜电子结构、磁有序态和能带拓扑结构的精密 调控手段。本项目组于2013年首次实验发现了量子反常霍尔效应，取得了一批具有国际 领先水平的研究成果。 （一）量子反常霍尔效应的实验发现 利用分子束外延技术发现了第一种可以显示量子反常霍尔效应的材料Cr掺杂的 (Bi,Sb) Te 拓扑绝缘体薄膜；制备出铁磁绝缘体相薄膜，实现了对其载流子浓度的精确 2 3 调控；在这种磁性拓扑绝缘体薄膜中，在世界上首次实验观测到量子反常霍尔效应。此 发现已被世界上多个知名实验室重复与确认，是目前拓扑绝缘体领域中唯一被重复验证 的重要新物理效应。 （二）磁性掺杂拓扑绝缘体薄膜磁性与磁输运性质的研究 在磁性掺杂拓扑绝缘体薄膜中，首次观测到磁性掺杂导致的拓扑绝缘体磁电阻行为 由反弱局域化到弱局域化的过渡，首次发现拓扑导致的磁量子相变。揭示了磁性掺杂拓 扑绝缘体中拓扑电子态与磁耦合机制和磁输运性质的关系。 （三）拓扑绝缘体的分子束外延生长和表面电子态研究 在国际上首先建立了Bi Te 家族拓扑绝缘体分子束外延生长动力学，制备出高质量 2 3 的Bi Te 家族拓扑绝缘体薄膜，该方法已经成为制备高质量拓扑绝缘体薄膜材料的首选 2 3 方法；首次在实验上揭示了三维拓扑绝缘体电子能带结构在二维极限下的演化过程；在 Bi Te 家族拓扑绝缘体中首次实验证明了的表面态的背散射缺失性质，首次观测到拓扑 2 3 绝缘体狄拉克表面态的朗道量子化。 本项目所取得的成果为拓扑磁电效应、手征拓扑超导电性等新奇量子现象的实现奠 定了基础，并有可能应用于开发新概念的低能耗电子学器件。本项目8 篇代表性论文中 有2 篇发表于Science，2 篇发表于Nature 系列期刊，2 篇发表于Phys. Rev. Lett. ，2 篇 发表于Adv. Mater. 。这些论文到目前为止被SCI 他引1780 次。授权国际发明专利 1 项。 由于这些成果，项目组成员曾获得亚洲磁学联盟奖、何梁何利基金科学与技术成就奖、 求是杰出科学家奖和陈嘉庚科学奖等科技奖励。 客观评价： 本项目8篇代表性论文SCI他引达1780次，单篇最高SCI他引504次，有5篇论文SCI他 引超过100次，7篇论文入选ESI 1%高被引论文。报道量子反常霍尔效应发现的Science 论文是研究该效应的论文必引的文献。项目组成员在与拓