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单晶位错对电池性能的影响 1. 引言 单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其电池效率明显高于多晶硅电池，是硅基高效太阳能电池的首选材料。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能电池的效率，比如：B-O复合体会导致单晶电池的光致衰减；内部金属杂质和晶体缺陷（位错等）的存在会成为少数载流子的复合中心，影响其少子寿命。本文研究了单晶硅片位错对电池性能的影响，并讨论了单晶拉制工艺对位错的影响。作为少数载流子的强复合中心，位错会严重影响硅片的少子寿命，最终影响电池性能。 2.实验 本实验对大量低档电池片进行了研究，现选取两片典型电池片举例说明。 实验过程如下： 做电致发光EL（electroluminescence）测试 →测试电池做电致发光EL测试 →电池测试 → 电池电流密度（LBIC Current）测试 → 硅片少子寿命测试 → 化学抛光腐蚀后观察位错 → SIMS 3. 实验结果和分析电致发光EL测试如下图1所示。 图1电致发光EL测试使用的是公司的Electroluminescence Inspection设备。EL照片中黑心和黑斑反映在通电情况下该部分发出1150nm红外光，故在相片中显示为黑心和黑斑，发光现象和硅衬底少数载流子有关黑心和黑斑硅衬底少数载流子。 图2 光照条件组件电电池片电致发光EL测试如下图和所示。 图图 光照条件电池电测试如表1所示。表1电池电测试 Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Urev1 Irev1 Urev2 Irev2 0.613 4.73 0.026 16.99 56.67 0.1106 -10 0.874 -12 1.041 样片2 0.587 4.62 0.005 104.21 76.6 0.1399 -10 0.131 -12 0.1653 两片电池效率分别为11.06%和13.99%，Isc明显偏低Isc为5.3A左右。 电池电流密度（LBIC Current）测试如图和所示。 图 LBIC Current测试图 LBIC Current测试然后，电池经过去SiN膜、去正反电极、去铝背场和n型层，碘酒钝化后硅片少子寿命测试如图和所示。 图少子寿命图少子寿命测试 硅片少子寿命测试与电池电流密度（LBIC Current）测试和电池EL测试具有很好的对应关系，说明造成电池效率低的原因为硅片本身内部缺陷所致，与电池工艺没有直接关系。后，对硅片进行化学抛光和Wright液腐蚀，片2呈现出明显的与EL测试、电流密度（LBIC Current）测试和少子寿命测试相对应的图案形貌。 片2 样片1的光学显微观察如图和所示，局部区域具有很高的位错密度达10E5~10E6左右。片2的光学显微观察如图和1所示，在如图所示的中心圆形图案形貌内，其位错密度均高达10E6~10E7左右。 图10E5~10E6（×500倍） 图10E5~10E6（×500倍） 图10E6~10E7（×200倍） 图10E6~10E7（×500倍） 最后，我们对如图9中，样片2所示的黑心内外做SIMS测试，测试结果如表2所示。SIMS测试结果显示，黑心内外各种杂质含量正常。 表2样片2 SIMS测试 Concentration (at/cm3) 2 B P C O Al Cr Mn Fe Ni 黑心内 1.30E+16 2E14 1e16 1.06E+18 7E13 5E12 1E13 1E13 1E14 黑心外 1.31E+16 2e14 1e16 1.02E+18 7E13 5E12 1E13 1E13 1E14 综上所述，正是由于硅片中存在着极高的位错密度，成为少数载流子的强复合中心，导致电池性能的严重下降。 4. 拉晶工艺对单晶位错的影响 4.1 引对单晶位错的影响 由于籽晶和硅熔液接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用引生长使之消失。引是将籽晶快速往上提升，使长出的晶体直径缩小到一定的大小（4~6mm）。由于位错线通常与生长轴成一个夹角，只要引足够长，位错便能长出晶体表面，得到位错的晶体，如图1所示。为了能完全消除位错，一般的原则是让引长度约等于一个晶棒直径的长度，即对于直径为150mm的晶棒，引长度约为150mm。 图1 利用引晶生长以消除位错的技术（Dash Technique） 如果在引过程中，由于引长度不足等原因未能将位错完全消除，将造成单晶位错密度的增加，甚至在单晶生长过程中引起断。 4.2放肩对单晶位错的影响 出于经济方面的考虑，放肩的形状通常较平。如果降温太快，液面呈现过冷情况，肩的形状因直径快速放大而变成方形，严重时易导致位错的重新产生，甚至出现断而失去单晶