射频磁控溅镀p型锶铜氧透明导电膜之研究-国立成功大学机构典藏.pdfVIP

射頻磁控濺鍍 p型鍶銅氧透明導電膜之研究 計畫主持人：李世欽 國立成功大學材料及工程學系 計畫編號：( 97-2221-E-006-015-) 97/08/01~98/07/31 透明氧化物導電膜(Transparent conducting oxides films, TCO)指的是在可見光範圍內具有高穿透性，且良好導 電性的氧化物薄膜。由於具備特別的光學性質及電性，可應用在諸多領域，尤以平面顯示器方面使用最多。此種 氧化物薄膜為一種半導體薄膜，由其載子種類可分為 n型及 p型兩種，其中 n型氧化物薄膜由於光電性質優良， 已被廣泛研究並實用化，但是 p型氧化物薄膜受到氧離子造成的區域化現象使得載子遷移率過低，因此相關研究 數量稀少。直到有學者提出 CMVB(chemical modulation of valence band)法解決遷移率問題後，才得以找出 適當氧化物材料並加以研究。在電子工業中，pn 接面的二極體與 npn或 pnp 接面的電晶體為不可缺少的關鍵元 件，若要實現透明的二極體與電晶體元件，則有必要對 p型透明導電薄膜加以研究。 本研究所使用之鍶銅氧化物(SuCu O )材料即為以 CMVB 法找出的一種氧化物材料，與其他 p 型氧化物材料 2 2 如 CuAlO2 、CuInO2 、CuGaO2 等相比，具備有退火溫度低的優點，在製備多層膜結構時可以降低對其他層的熱影 響。本研究之目的在於利用射頻磁控濺鍍製程製備鍶銅氧化物薄膜所需的濺鍍參數加以研究，並探討濺鍍參數對 於薄膜光學性質、導電性質與結晶構造的影響，找出合適的濺鍍參數後，再進一步使用退火處理改善結晶性與載 子遷移率，以提升薄膜的光學穿透率並降低電阻率。 關鍵字：透明導電膜，鍶銅氧，濺鍍，摻雜，光電性質，退火，p 型 1 、前言 透明導電膜(transparent conducting films)指的是在 CuAlO [8] 、CuInO [9] 、CuGaO[10]與 CuScO [11]等， 2 2 2 可見光範圍內具有高穿透性，且良好導電性的薄膜。 具有 AMO 的形式。但此類氧化物由於退火溫度較 2 由於具特別的光學性質及電性，可應用在諸多領域。 高，如 CuAlO2的相關研究中指出其退火溫度在 700 可用來製作透明導電膜的材料分為兩類：一類為金屬 ℃以上，卻又造成製程處理上的困難，尤其在多層膜 薄膜，另一類為氧化物半導體薄膜[1-3] 。 結構的元件製備上，會對其他層易受熱影響的材料造 金屬薄膜(如：金、銀、銅等薄膜)具有極為優良的 成熱損傷。 導電性，但如果要增加其可見光範圍內的穿透率，則 而本研究將使用的銅鍶氧化物--SrCu2O2 ，為另一 必須製成極薄的薄膜(厚度低於 10 nm) ，然而極大部分 類可以作為 P 型透明氧化物導電膜的材料，與前述材 的金屬在製成厚度低於 10 nm的薄膜時，會形成島狀 料不同的是 SrCu O屬於非 delafossite結構的 p型氧化 2 2 不連續膜，使薄膜電阻增加。另外金屬薄膜的化學穩 物材料。目前國外研究已有使用溶液凝膠法與電子束 定性與硬度較低，使得實際應用上受到限制，因此現 蒸鍍法製備薄膜的文獻。另外在文獻中指出其退火溫 今多改用氧化物薄膜來取代。 度較低，約為 350℃[12] ，可有效減低多層膜製備過程 透明氧化物導電膜(Tra