奈米碳管电晶体之迟滞效应研究奈米碳管电晶体之迟滞效应研究.pdfVIP

奈米碳管電晶體之遲滯效應研究奈米碳管電晶體之遲滯效應研究 奈米碳管電晶體之遲滯效應研究奈米碳管電晶體之遲滯效應研究 研究生研究生 ：薛聖銘：薛聖銘 指導教授指導教授 ：崔秉鉞：崔秉鉞 研究生研究生 ：：薛聖銘薛聖銘 指導教授指導教授 ：：崔秉鉞崔秉鉞 國立交通大學電子工程學系 電子研究所碩士班 摘要 自 1998 年起奈米碳管電晶體(CNTFET)首次被製作出來 , 其電性 如載子遷移率 、載子傳輸、截止頻率..等，已被許多研究單位廣泛地 研究 。其中碳管電晶體之遲滯效應也為研究之重點，因為此效應將會 影響元件之穩定度 。另一方面而言，遲滯效應顯示碳管電晶體可應用 在感應器或記憶體方面之可能性 。自2002 至今 ，研究學者對其遲滯 效應之產生機制有兩種看法:一為大氣中水氣吸附至碳管表面所產生 之遲滯效應 ，二為由於閘極偏壓產生之高電場導致碳管中之載子注入 介電層所致。 本論文在不同條件下，觀測碳管電晶體之遲滯效應。包括了增加 水氣及酒精之極性分子 、真空、不同溫度、覆蓋薄膜、照光等環境。 也製作了上閘極以及下閘極與源極和汲極電極重疊和不重疊結構之 碳管電晶體 。經由量測發現，當碳管（通道）暴露於大氣環境中 ，其 遲滯效應會由水分子主導 。增加極性分子其遲滯效應會有增強之效 果。但是當去除水分子之影響後 （如真空環境下），其遲滯效應將由 載子注入至介電層機制所致 。欲得到穩定之碳管電晶體，碳管（通道） 必須隔離極性分子。再者與碳管接觸之介電層必須為低缺陷密度之介 電層以及較低的閘極操作電壓 。 i 我們評估利用碳管電晶體遲滯效應作為記憶體元件之可行性。我 們發現碳管電晶體記憶體元件其電荷保留時間約數千秒 ，閘極與源極 和汲極電極不重疊結構之碳管電晶體其轉態時間可小於 0.4ms 。鑑於 轉態時間低於快閃記憶體 ，但電荷保留時間過低。然且其讀寫擦之次 6 數可高於 10 ，欲使用碳管電晶體作為記憶元件 ，尚有需多瓶頸待克 服。