晶体管原理与设计（微电子器件）第5-9章_精品.ppt

5.9 MOSFET 的结构及发展方向 MOSFET 的发展方向主要是沟道长度的不断缩短，目前已经缩短到小于 0.1 ?m 。这种发展趋势可以用 摩尔定律 来描述： MOS 集成电路的集成度每 18 个月翻一番，最小线宽每 6 年下降一半。目前预测的最小极限尺寸是 25 nm，尽管这种对极限尺寸的预测也在不断下调。 MOSFET 的发展过程，就是在不断缩短沟道长度的同时，尽量设法消除或削弱短沟道效应的过程。 5.9.1 按比例缩小的 MOSFET 1、恒场按比例缩小法则 为了消除或削弱短沟道效应，除了采用一些特殊的结构外，在 VLSI 中，主要采用按比例缩小法则。 设 K 为缩小因子，K 1 。恒场按比例缩小法则要求 * 这时器件及集成电路的性能发生如下改变： * 2、恒场按比例缩小法则的局限性 (1) 亚阈区摆幅 S 不变会使亚阈电流相对增大，对动态存储器特别不利。 (2) 某些电压参数不能按比例缩小，例如 Vbi 和 2?FB 等。 (3) 表面反型层厚度 b 不能按比例缩小。可以将反型层看作一个极板间距为 b 且与 COX 相串联的电容 ，使总的有效栅电容偏离反比于 TOX 的关系而逐渐饱和。 (5) 电源电压不能完全按比例缩小。 (4) 寄生电阻的限制。 * 5.9.4 深亚微米 MOSFET 1、量子效应的影响 对于深亚微米 MOSFET，根据按比例缩小法则，必须采用重掺杂衬底和薄栅技术 。这样能带在表面的弯曲将形成足够窄的势阱，使反型层中的载流子在界面处 量子化。计算表明，量子效应使反型层电子浓度的峰值离开界面。可以将该现象等效为栅氧化层厚度的增加，从而导致漏极电流的衰退。 * 2、栅耦合 按比例缩小法则要求 MOSFET 的栅氧化层厚度随沟道长度的缩短而减薄 ，以保持 栅电极 与 沟道电荷 之间有足够的耦合 。每一代新的 MOSFET 都采用了更薄的栅氧化层。但是栅氧化层厚度的减薄将受到下面几个因素的限制。 首先，当栅氧化层非常薄时，栅极与沟道之间的 隧道效应将显著增大，导致栅电流的增大和输入阻抗的下降。 其次，以下三个因素使 有效 栅氧化层厚度不能随 实际 栅氧化层厚度的减薄而下降。 * (1) 有一定厚度的表面反型层可等效为一个与栅氧化层电容COX串连的反型层电容，削弱了栅电极对沟道电荷的耦合作用，相当于增加了有效栅氧化层厚度。 (2) 量子效应使反型层电子浓度的峰值不在表面，而在表面以下约 1 nm 处，这也相当于增加了有效栅氧化层厚度。 (3) MOS 集成电路中都采用硅栅技术。当硅栅中靠氧化层一侧的部分多晶硅发生耗尽时，这层耗尽层就起到了绝缘层的作用，再次增加了有效栅氧化层厚度。 为了避免隧道穿透效应，可以通过 提高栅介质的介电常数而不是降低栅介质的厚度 的方法来提高栅电容。为了避免多晶硅出现耗尽层的影响，可以采用 难熔金属 或 难熔金属硅化物 作为栅电极材料。 *