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本文由2344982贡献 ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第二章 双极型晶体二极管及 基本放大电路 第一节 第二节 第三节 双极型晶体三极管 放大器的工作原理 放大电路的分析方法 共集放大电路 共基放大电路 极间耦合方式 第四节 第五节 第六节 第一节 双极型晶体三极管 双极型半导体三极管是由两种 载流子参与导电的半导体器件， 载流子参与导电的半导体器件， 结组合而成， 它由两个 PN 结组合而成，是 场效应管仅由一种载流子参与 半导体三极管有两大类型: 半导体三极管有两大类型 电流控制电流(CCCS)器件。 器件。 电流控制电流 器件 导电，是电压控制电流(VCCS) 导电，是电压控制电流 器件。 器件。 双极型半导体三极管 场效应半导体三极管 一 晶体三极管的工作原理 一.晶体三极管的工作原理 （一） 晶体三极管的结构 （二） 晶体三极管内部载流子传输过程 （三） 晶体三极管的电流关系 （四） 晶体三极管的特性曲线 （五） 晶体三极管的参数 （六） 晶体三极管的型号 （一） 晶体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图 集电极， 。 双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示 所示。 所示 称为集电区和集电极 称为集电区和集电极， 用C或 表示（ ）。 ? 分两种类型:NPN型和 型和PNP型 分两种类型 型和 称为发射区，电极称为发射极， 或 表示 发射极， 称为发射区，电极称为发射极型： c表示（Collector）。 表示（ 用E或e表示（Emitter）； 或 表示 ）； E-B间的 结称为发射结 C-B间的PN结成为集电结(Jc) 间的PN结称为发射结(Je) 基极， 间的 结称为发射结 称为基区，加上电极称为基极 称为基区，加上电极称为基极， 表示（ 用B或b表示（Base）； 或 表示 ）； 图 02.01 两种极性的双极型三极管 1.符号：双极型三极管的符号如图: 符号：双极型三极管的符号如图: 符号 ? 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 2.特点 （1）.发射区的掺杂浓度大。 特点: 发射区的掺杂浓度大。 特点 ） 发射区的掺杂浓度大 集电区掺杂浓度低， （2）.集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。 ） 集电区掺杂浓度低 且集电结面积大。 基区要制造得浓度低， （3）.基区要制造得浓度低，且很薄。 ） 基区要制造得浓度低 且很薄。 其厚度一般在几个微米至几十个微米） （其厚度一般在几个微米至几十个微米） （二）.三极管内部载流子的传输过程 1.三极管具有放大功能的条件： 1.三极管具 有放大功能的条件： 三极管具有放大功能的条件 必须满足： 必须满足： (1).内部条件: 发射区浓度高，基区浓度低且薄。 (1).内部条件: 发射区浓度高，基区浓度低且薄。 内部条件 (2).外部条件:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 (2).外部条件:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 外部条件 结 论 1.使三极管的发射区向基区注入电子; 1.使三极管的发射区向基区注入电子; 使三极管的发射区向基区注入电子 2.通过发射结位垒的控制和基区的传送; 2.通过发射结位垒的控制和基区的传送; 通过发射结位垒的控制和基区的传送 3.最后由集电极收集电子。 3.最后由集电极收集电子。 最后由集电极收集电子 2. 载流子的传输过程 载流子的传输过程: (1).由于发射结正偏，将有大量 由于发射结正偏， 由于发射结正偏 的电子从发射基区扩散， 的电子从发射基区扩散，形成 的电流为I 的电流为 EN。 (2). 基区向发射区也有空穴的扩 散运动，但数量小， 散运动，但数量小，形成的电流 为IEP，只有少数电子在基区被复 图 02.02 三极管的电流传 合，形成的电流是IBN。 形成的电流是 输关系 (3). 电子流在基区停留时间很短，在集电结反偏电压 电子流在基区停留时间很短， 作用下,很快进入集电结的结电场区域， 作用下,很快进入集电结的结电场区域，被集电极收 形成集电极电流I 集，形成集电极电流 CN。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移 电流I 电流 CBO 综上所述, 综上所述,可得如下电流 关系式: 关系式: IE= IEN＋ IEP 且有 ENIEP 且有I IEN=ICN+ IBN 且有 EN IBN 且有I ICNIBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) 得:IE =IC+IB 结 论 由以上分析可知: 由以上分析可知: 发射区