第05章-半导体器件.pptVIP

5.1.1 物质的分类及特点 (2) 热敏性。半导体的电阻率随温度变化很敏感，一般情况下(非重掺杂)，温度升高，电阻率下降。可制成热敏器件。 (3) 光敏性。受光照后，半导体的电阻率大为降低。依此特性可制成各种光电器件和太阳能电池等。 半导体的这些特殊性质是由其内在的矛盾和运动规律所决定的。 5.2.2 二极管的伏安特性 正向电压超过门槛电压Uon后为第二段，随着正向电压的增加，内电场大大削弱，有利于扩散，电流按指数曲线规律迅速增长。但正向电压在小范围内变化，电流变化很大。通常硅管压降为0.6～0.8V，锗管为0.2～0.3V。当环境温度变化时，在室温附近，温度每升高l℃，二极管的正向降压减小2～2.5mV。 5.3.4 三极管的主要参数 5.3.4.3 极限参数 (1) 集电极最大允许电流ICM。该参数表示当三极管的 值下降到其额定值2/3时所允许的最大集电极电流。当集电极电流超过该参数时，并不一定损坏管子，但 值下降太多可能使放大电路不能正常工作。 (2) 集电极—发射极反向击穿电压U(BR)CEO。当基极开路时，集电极—发射极之间的最大允许反向电压称为集电极—发射极反向击穿电压。集电极—发射极电压UCE超过该值时，三极管可能被击穿。 5.3.4 三极管的主要参数 (3)集电极最大允许耗散功率PCM。该参数决定了管子的温升极限。PCM值为 在三极管输出特性曲线