第1章--电力半导体器件.pptVIP

1．基本结构 内部有两个P-N结，一个是漏区与P体区之间的P-N-结，称为漏区P-N-结；另一个是P体区与源区之间的P-N+结，称为源区P-N+结。由于源区和体区总是被金属模短路在一起由源极线引出，因此源区P-N结总是处于零偏置状态。 1.工作原理 正向截止状态(UGS≤0)下，漏区P-N-结反向偏置，没有电流流过，漏源正电压几乎全部降落在空间电荷区。 当栅极施加正电压(UGS≥0)时，由于栅极是绝缘的，并不会有栅极电流流过（稳态时），但在栅极正电压电场的作用下，会将其下面P区的空穴排开，而将P区中的少子（电子）吸引到栅极下面的P区表面。当大于UGS某一电压值UGS(th)时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型反型成N型，该反型层即为沟道，这里为N型沟道。 1.工作原理 N沟道使得此区域的P-N-结消失，漏极和源极导通，电流从漏极流入，经N区、N-区、N沟道、N+源区，从源极流出，其中称UGS(th)为阈值电压， UGS超过UGS(th)越多，载流子浓度越大，形成的沟道越宽，导电能力越强，漏极电流ID越大。这就是场效应晶体管导电的机理。 漏极电流的通路电阻由N-区电阻、沟道电阻、漏极和源极接触电阻共同作用，当电压较大时， N-区电阻起主要作用。由于参与导电的电荷全部是电子，所以功率MOSFET为单极型器