第五章-电子器件.pptVIP

CMOS有低功率消耗及高器件密度的优点，使其适用于复杂电路的制作．然而与双极型技术相比，CMOS的低电流驱动能力限制了其在电路上的表现． BiCMOS是将CMOS及双极型器件整合在同一芯片上的技术．其基本思想是以CMOS器件为主要单元电路，而在要求驱动大电容负载之处加入双极器件或电路。 BiCMOS电路包含了大部分的CMOS器件以及少部分的双极型器件，它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自优势，给高速、高集成度、高性能的LSI及VLSI的发展开辟了一条新的道路．然而，这需增加额外的制作复杂度、较长的制作时间及较高的费用． CMOS与双极型CMOS(BiCMOS) 双极型CMOS（BiCMOS） MOSFET及相关器件 HEMT 一.HEMT简介 HEMT，高电子迁移率晶体管是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。 MOSFET及相关器件 二.两种体系的HEMT 以 GaAs 或者 GaN