报告题名鳍式电晶体矽鳍载子电荷分布探讨及可靠度研究-逢甲大学.pdfVIP

報告題名： 鰭式電晶體矽鰭載子電荷分佈探討及可靠度研究 Oxide-trap Charges and Fin Carriers Distribution of Fin-type FET (FinFET) and the Reliability Analysis 作者 ：陳芷右 劉雅娟 陳怡馨 系級：電子 工程 學系 學號 ：D9973194 D9973103 D9973057 開課老師 ：林成利 博士 課程名稱：專題研究 開課系所：電子工程學系 開課學年： 102 學年度第 2 學期 鰭式電晶體矽鰭( 載子電荷分佈探討及可靠度研究 ) 中文摘要 本專題研究FinFET 元件在不同鰭寬(10nm 與25nm)之電 特性研究，經由量測曲線圖:n-type FinFET 在 Wfin=10nm 與 W =25nm時的 I -V 圖、 I -V 圖、 I -V 圖及 n-type的 V fin D D D G G G TH - W 圖、 V - Lg圖來分析元件的臨界電壓、次臨界斜率 fin TH (subthreshold swing ，SS)及汲極引發能障下降值(drain induced barrier lowering ，DIBL)效應、元件導通電流等基本特性 ，並 比較鰭寬10nm及 25nm下 double gate n-type FinFET的電性 差異，測量結果顯示鰭寬 10nm的 FinFET 其DIBL值與 SS 值都比鰭寬 25nm的小，此結果可得知鰭較窄的元件對於短 通道效應有較好的抵抗力。另外，我們在論文中探討元件雜 訊對於元件的影響。半導體材料若不是在絕對零度的環境 下，導體中的電子或電洞會受到溫度影響，產生隨機的擾動， 在元件內發生的雜訊又分為四種:熱雜訊(thermal noise) 、產生 -復合雜訊(G-R noise) 、閃爍雜訊1/f (flicker noise)和散射雜訊 (shot noise) ，其中我們使用低頻雜訊(low-frequency noise)來 分析氧化層陷阱電荷分佈及矽鰭載子電荷分佈，在LFN的分 析上，透過實驗求出的數據 α 可得 知 Fin 越窄雜訊曲線斜率 會 越大，且缺陷分佈於深層氧化層內，同時影響 FinFET 元 i 逢甲大學學生報告 ePaper(2013 年) 鰭式電晶體矽鰭載子電荷分佈探討及可靠度研究( ) 件的性能，透過這種方式來探討矽鰭載子分佈與元件的可靠 度。 關鍵 字:鰭式場效電晶體 (FinFET) 、次臨界擺幅(SS) 、汲 極能障降低 (DIBL) 、低頻雜訊(LFN) 、矽鰭載子分布、元件 可靠度 ii 逢甲大學學生報告 ePaper(2013 年) 鰭式電晶體矽鰭載子電荷分佈探討及可靠度研究( ) Abstract