第02回随堂讲义.docVIP

第 2 回　2-1~2-5 第1部分　重點整理 1. 目前地球上所發現元素的結構都是由　原子核　和　電子　所組成。 2. 原子核內部主要由　質子　和　中子　組成。 3. 原子內部電子排列是由內往外，依序以K、　L　、M、N、O、P、Q等七層軌道繞著　原子核　為中心運轉，且每一層的電子最大容量為2n2，n表示能層數。 4. 目前最主要的半導體材料是　矽　與　鍺　，其最外層的電子數目都是4個。 5. 在純半導體中，結晶體受到熱能的關係，會致使部分共價鍵破裂，而產生的自由電子及電洞，則稱為　電子電洞　對。 6. 價電子受熱能作用而脫離原來共價鍵結構，所留下的空位，稱為　電洞　。 7. 本質半導體在絕對零度0K(－273°C)時，沒有任何電子或電洞108：1pp＝ni2），且與摻入的　雜質　無關。 21. 本質或外質（P型和N型）半導體在帶電性方面是　中性　，但導電性方面則會隨溫度的上升而　增加　。 22. PN接合面處相結合瞬間，N型側內區域會形成　正離子　，P型側內區域會形成　負離子　，而整個區域內沒有電子、電洞存在，稱為　空乏　區。 23. PN接面處正、負離子所形成的電場效應，稱為　障壁　電壓，在常溫時，矽約為　0.7　V，鍺約為　0.3　V。 24. 二極體在順向偏壓時（P端接　正極　、N端接　負極　），空乏區寬度會　變小　。 25. 二極體在逆向偏壓時（P端接　負極　、N端接　正極　），空乏區寬度會　變大　。 26. 二極體在逆向偏壓工作時，由於位障增高，致使多數載子通過接合面不易，只有　少數　載子流動所形成的漏電流，稱為逆向飽和電流Is。 27. 逆向飽和電流Is (1) 鍺質二極體的逆向飽和電流值（μA）要遠比矽質二極體逆向飽和電流值（nA）　大　，二項材料Is相比約差1000倍左右。 (2) 逆向飽和電流Is值主要是與　材料　和　溫度　有關，但與　逆向　偏壓幾乎無關。 29. 溫度的變化，會致使二極體兩端的　障壁　電壓與　漏電　電流產生變化。 30. 二極體內部的逆向飽和電流Is會隨溫度每上升　10　°C其Is電流值增 31. 二極體順向電壓值會隨溫度上升而　降低　，其中鍺質二極體的電壓降低率約為　－1　mV/°C，矽質二極體電壓降低率約為　－2.5　mV/°C。 32. 當二極體施加於逆向偏壓時，電容量主要為　過渡　電容CT，且此電容值與逆向偏壓成　反比　。 33. 當二極體施加於順向偏壓時，電容量主要為　擴散　電容CD，且此電容值與順向電流成　正比　。 34. 空乏區深入接面PN兩端的深度，主要是由其摻入的　雜質　濃度決定，當摻入濃度愈大者，其深入的深度愈淺；反之，則深度愈深。 35. 二極體內部動態電阻（或交流電阻）與順向電流成　反比　。 動態電阻rd＝。 第2部分　隨堂練習（題目前有「＊　(B)I＝Is　(C)I＝－1　(D)I＝Is。 （ A ）24. 在N型半導體中，電洞的濃度會隨溫度的升高而產生何種變化？　(A)增加　(B)減少　(C)先增後減　(D)不變。 ＊（ C ）25. 由於矽質二極體比鍺質二極體的切入電壓大0.4V，因此鍺質二極體大於矽質二極體的逆向飽和電流的倍數為　(A)100　(B)500　(C)1000　(D)2000　倍。 二、計算題 1. 有一純矽晶體本質濃度ni為1.51013cm－3，密度為51022cm－3，若以每108個矽原子比例加入一個施體雜質，試求此半導體內部電洞濃度。 答：np＝ ＝51014cm－3 nppp＝ni2 pp＝ ＝4.51011cm－3 2. 有一矽質PN二極體在室溫25°C時，其順向電壓值＝0.7V，若將周圍溫度調高，試求此溫度應上升到多少°C時，其順向電壓才會變為0.4V？°C ΔT＝ ＝120 T＝120＋25 ＝145°C 3. 有一鍺質二極體電路，假設在室溫時的交流電阻為5Ω，且當體ηVT4. 有一鍺質二極體在室溫25°C時之障壁電壓為0.3V，試求室溫在65°C時之障壁電壓。 (65°C)＝0.3－1m(65－25)＝0.26V 有一矽質二極體在室溫20°C時之逆向飽和電流為5nA，若將溫度上升至50°C時，試求此時二極體內部之逆向飽和電流。 10　第　 第　　9