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东芝用于电源的功率器件
东芝用于电源的 东芝超级结MOSFET:东芝超级结MOSFET:东芝沟道MOSFET: 东芝沟道MOSFET:
U-MOS Ⅷ-H/U-MOS Ⅸ-H 双面散热新封装 东芝SiC SBD
功率器件 DTMOS Ⅳ DTMOS Ⅳ U-MOS Ⅸ-H
东芝用于电源的功率器件
通过以下三种关键器件,有利于实现电源的高效率化
DTMOS Ⅳ
Single Epi技术
(高温较低Ron)
U-MOS Ⅷ/Ⅸ SiC SBD
独特沟道技术 JBS技术
(低Ron·Coss) (低漏电流)
东芝用于电源的 东芝超级结MOSFET:东芝超级结MOSFET:东芝沟道MOSFET: 东芝沟道MOSFET:
U-MOS Ⅷ-H/U-MOS Ⅸ-H 双面散热新封装 东芝SiC SBD
功率器件 DTMOS Ⅳ DTMOS Ⅳ U-MOS Ⅸ-H
什么是DTMOS Ⅳ? S G
传统的超级结MOSFET
东芝DTMOS Ⅳ是业界首家采用Single Epi结构的
器件,具有芯片低损耗化、高效生产性等优势。 超级结MOSFET P =Multi Epi(ME)技术
Multiple Epi工艺
适用于民用到工业等多个领域的应用。
(DTMOS) 芯片大
导通电阻大,芯片成本高
Source Gate
D
+ + S G
n n
p p 东芝的“DTMOS IV”
-
n =Single Epi(SE)技术
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