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东芝用于电源的功率器件.PDFVIP

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东芝用于电源的功率器件

东芝用于电源的 东芝超级结MOSFET:东芝超级结MOSFET:东芝沟道MOSFET: 东芝沟道MOSFET: U-MOS Ⅷ-H/U-MOS Ⅸ-H 双面散热新封装 东芝SiC SBD 功率器件 DTMOS Ⅳ DTMOS Ⅳ U-MOS Ⅸ-H 东芝用于电源的功率器件 通过以下三种关键器件,有利于实现电源的高效率化 DTMOS Ⅳ Single Epi技术 (高温较低Ron) U-MOS Ⅷ/Ⅸ SiC SBD 独特沟道技术 JBS技术 (低Ron·Coss) (低漏电流) 东芝用于电源的 东芝超级结MOSFET:东芝超级结MOSFET:东芝沟道MOSFET: 东芝沟道MOSFET: U-MOS Ⅷ-H/U-MOS Ⅸ-H 双面散热新封装 东芝SiC SBD 功率器件 DTMOS Ⅳ DTMOS Ⅳ U-MOS Ⅸ-H 什么是DTMOS Ⅳ? S G 传统的超级结MOSFET 东芝DTMOS Ⅳ是业界首家采用Single Epi结构的 器件,具有芯片低损耗化、高效生产性等优势。 超级结MOSFET P =Multi Epi(ME)技术 Multiple Epi工艺 适用于民用到工业等多个领域的应用。 (DTMOS) 芯片大 导通电阻大,芯片成本高 Source Gate D + + S G n n p p 东芝的“DTMOS IV” - n =Single Epi(SE)技术

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