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1、单稳态触发器的特点： 10.4 多谐振荡器 一、定义、特点 ★二、分析方法 三、典型电路（类型）分析： ⒈ 非对称式多谐振荡器； ⒉ 由施密特触发器构成的多谐振荡器； ⒊ 简单环行振荡器； ⒋ 石英晶体多谐振荡器（自学掌握） 10.4 多谐振荡器 1、确定电路的第一暂稳态，第二暂稳态； 2、分析电路的工作过程，定性画出电路中各点电压的波形，找出决定电路状态发生转换的控制电压； 3、画出控制电压充放电的等效电路，并将得到的电路化简； 4、确定关键控制电压充放电的起始值、终了值和转换值； 5、计算充放电时间，求出所需计算结果。 2、由施密特触发器构成的多谐振荡器 1、多谐振荡器的定义、特点； 2、多谐振荡器的分析方法； 3、典型多谐振荡器电路的工作原理及分析。 《数字电子技术》多媒体课件 电子信息研究室 复习 （1）有稳态和暂稳态两个工作状态； （2）在外界触发脉冲作用下，输出能从稳态翻转到暂稳态，在暂稳态维持一段时间后，再自动返回稳态； （3）暂稳态维持时间的长短取决于电路本身的参数，与触发脉冲的宽度和幅度无关。 2、单稳态触发器的分析方法； （1） 确定电路的稳态、暂稳态，以及触发脉冲类型； （2）分析电路工作过程，定性画出各关键点电压波形，找出 决定电路状态发生转换的控制电压； （3）画出控制电压充、放电的等效电路并化简，求时间常数； （4）确定控制电压充、放电的的起始值、终了值和转换值； （5）计算充、放电时间，求所需的计算结果。 定义：是一种自激振荡器，在接通电源后，不需外加触发信号，就能自动产生矩形脉冲。由于矩形波中含有丰富的高次谐波分量，习惯上又称为多谐振荡器。 特点：无稳态，两个暂稳态，称为第一暂稳态，第二暂稳态。 一、基本概念 用途：产生脉冲波形。 二、分析方法：波形分析法 三、典型电路分析： 1、非对称式多谐振荡器（CMOS门组成）： 静态时，门G1、G2均工作在电压传输特性转折区的中间 （1）由于“扰动”使vI1有微小 ，则有： 使vO1迅速=高，而vO2迅速=低，电路进入第二暂稳态。 C开始放电，vI1 （2）当vI1 至VTH ，则有： 使vO1迅速=低，而vO2迅速=高，电路进入第一暂稳态。 C开始充电，vI1 （3）当vI1 至VTH ， 又返回第一暂稳态。 三、典型电路分析： 1、非对称式多谐振荡器（CMOS门组成）： 第一暂稳态：vI1=1，vO1=0，vO2=1 第二暂稳态：vI1=0，vO1=1，vO2=0 第一过渡过程：放电过程 第二过渡过程：充电过程 思考：充放电回路如何？ 保护电阻 思考：充放电波形如何？ 充电时间常数： 放电时间常数： 放电回路 充电回路 （1）第一过渡过程：充电过程： 充电参数：vI(0)＝VTH－ VDD ， vI(∞)＝VDD，vI(th)＝VTH vI1 vO1 vO2 VTH VTH+VDD VTH－VDD T1 T2 （1）第二过渡过程：放电过程： vI1 vO1 vO2 VTH VTH+VDD VTH－VDD T1 T2 放电参数：vI(0)＝ VTH+ VDD vI(∞)＝0， vI(th)＝VTH （1）第一暂稳态： vI＝0， vO＝1； 第二暂稳态： vI＝1，vO＝0 充电参数：vI(0)＝VT-，vI(∞)＝VDD，vI(th)＝VT＋ （2）第一过渡过程：充电过程： T1 放电参数：vI(0)＝VT＋，vI(∞)＝0，vI(th)＝VT- （3）第二过渡过程：放电过程： 问题：⒈占空比ｑ=？ ⒉ 如何使占空比可调？（P487） （2）第一过渡过程：充电过程： T1 T2 3、 环形振荡器 利用逻辑门电路的传输延迟时间，将奇数个反相器首尾相接，就可以构成一个简单的环形振荡器: （1）电路组成 （2）工作原理 及波形 优点: 结构简单,所用元件少。 缺点: 频率太高,并且不可调整。其振荡周期为6 tpd 小结 下次讲： 10.5 《数字电子技术》多媒体课件 电子信息研究室