嵌入式系统导论3、硬件设计-arm.pptVIP

Samsung S3C4510B简介 Samsung S3C4510B简介 Samsung S3C4510B简介 Samsung S3C4510B编程 处理器2种状态 ARM 执行32-bit, word-aligned ARM指令 THUMB 执行16-bit, half-word-aligned THUMB指令 优点:根据需要优化存储 状态之间方便转换 Samsung S3C4510B编程 存储格式(byte order) Big-Endian Msb is low addr Addrss by MSB Little-Endian Lsb is low addr Addrss by LSB Samsung S3C4510B编程 存储格式(byte order) 对嵌入式系统,当直接操作硬件时,字节顺序很重要 S3C4510内部为Big-endian 外部可以通过配置引脚选择外部数据存储方式 Samsung S3C4510B编程 ARM7TDMI支持7种操作模式 User (usr): 正常操作状态 FIQ (fiq): 数据传输、通道处理中断 IRQ (irq): 一般中断处理 Supervisor (svc): 系统保护模式 Abort mode (abt): 取指出错 System (sys): 超级用户模式 Undefined (und): 非法指令时进入该状态 Samsung S3C4510B编程 ARM7TDMI 31个寄存器 31个32位通用寄存器 6个状态寄存器 Samsung S3C4510B编程 ARM7TDMI 31个寄存器 Samsung S3C4510B编程 ARM7TDMI 指令集 指令少，但与条件组合非常复杂 在此不详细讲解 无论使用uClinux还是VxWorks,在移植过程中仅需要很少汇编指令 Samsung S3C4510B编程 ARM7TDMI 指令例子 设置SYSCFG寄存器 ldr r0, =SYSCFG /* Cache Off, Write Buffer Off, 4K SRAM, 4K CACHE */ ldr r1, =0x87ffff80 str r1, [r0] Samsung S3C4510B系统管理 总线仲裁 比较简单，固定优先级 提供存储器控制信号 重点讨论 Samsung S3C4510B系统管理 5*(ROM/SRAM/FLASH)+ 4*(DRAM/SDRAM)+ 4*(EXTIO) + 8K ISRAM+16K SPR 可以把它们定义在64M存储空间的任意位置 存储器映像 Samsung S3C4510B系统管理 系统启动时存储器映像 启动时，除CS0外，其它均无效 CS0接BootRom,放置启动代码(BSP/BIOS/Boot loader Samsung S3C4510B系统管理 系统管理寄存器 Samsung S3C4510B系统管理 系统配置寄存器 0：必须为零 1：Cache Enable 2:Write Buffer Enable 5-4:Cache Mode(cache与sram划分) 15-6:Internal SRAM base pointer 表示内部SRAM的A25-A16 25-16:Special register bank base pointer 表示SPR基地址，以64K为单位 30-26:产品ID 00001 = S3C4510X (KS32C50100) 11001 = S3C4510B 31:DRAM还是SDRAM 0x37ffff91含义：内部SRAM基地址0x3fe0000 SPR基地址为0x3ff0000 Samsung S3C4510B系统管理 时钟控制寄存器 [15:0] Clock diving value If all bits are 0, non-divided clock is used. Only one bit can be set in CLKCON[15:0]. That is, the clock diving value is defined as 1,2,4,8,16,...Internal system clock, fMCLK = fICLK/(CLKCON+1) [16] ROM bank 5 wait enable [17] ROM bank 5 address/data bus MUX enable [19:18]