低压化学气相淀积.ppt

薄膜气相淀积工艺 CVD工艺优点 （1）CVD成膜温度远低于体材料的熔点。因此减轻了衬底片的热形变，抑制了缺陷生成; 设备简单，重复性好； （2）薄膜的成分精确可控、配比范围大； （3）淀积速率一般高于PVD（物理气相淀积，如蒸发、溅射等），效率高；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜淀积，且能大量生产； （4）淀积膜结构完整、致密，良好的台阶覆盖能力，且与衬底粘附性好。 （5）CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等 CVD过程 (1) 常压化学气相淀积（APCVD）； (2) 低压化学气相淀积（LPCVD）； (3)等离子体辅助 CVD 等离子体增强化学气相淀积（PECVD） 高密度等离子体化学气相淀积（HDPCVD） 另外还有次常压化学气相淀积SAPCVD （sub atmosphere pressure CVD）和MOCVD等。 1.常压化学气相淀积(NPCVD Normal?Pressure?CVD)(APCVD Atmosphere Pressure) 常压化学气相淀积(APCVD/NPCVD)是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法，这是化学气相淀积最初所采用的方法。 APCVD系统示意图 APCVD的缺点： 1.硅片水平放置，量产受限，易污染。 2.反应速度受多种因素影响，反应室尺寸、气体流速、硅片位置等都会影响速度。 3．均匀性不太好，所以APCVD一般用在厚的介质淀积。 APCVD系统的优点: 具有高沉积速率，可达6000～10000埃/min 2. 低压化学汽相淀积(LPCVD) 随着半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求及膜厚的误差要求不断提高，出现了低压化学气相淀积(LPCVD)。低压化学气相淀积是指系统工作在较低的压强下(一般在100Pa以下)的一种化学气相淀积的方法。LPCVD技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积，是一种重要的薄膜淀积技术。 在这个系统中沉积室(deposition chamber)是由石英管(quartz tube)所构成，而芯片则是竖立于一个特制的固定架上，可以扩大装片量。 在LPCVD系统中须要安装一个抽真空系统，使沉积室内保持在所设定的低压状况，并且使用压力计来监控制程压力 LPCVD系统的优点：具有优异的薄膜均匀度，以及较佳的阶梯覆盖能力，并且可以沉积大面积的芯片； LPCVD的缺点：沉积速率较低，而且经常使用具有毒性、腐蚀性、可燃性的气体。 由于LPCVD所沉积的薄膜具有较优良的性质，因此在集成电路制程中LPCVD是用以成长单晶薄膜及其对品质要求较高的薄膜。 APCVD生长速率快，但成膜均匀性不好，容易产生影响薄膜质量的微粒，基本不应用于集成电路制造。LPCVD反应系统一般要求温度在650℃以上，不能应用到后段。 后段工艺中薄膜生长的反应温度较低，需引入额外的非热能能量或降低反应所需激活能以得到足够反应能量。 前者代表是PECVD和HDPCVD，等离子体提供的能量大大降低反应所需热能，从而降低反应温度到400℃以下；后者代表是采用TEOS 与O3反应系统的SACVD，由于O3在较低温度下就可以提供氧自由基，反应所需激活能小于TEOS与O2 系统，因此较低温度下也可以提供足够的淀积速率。 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是指采用高频等离子体驱动的一种气相淀积技术，是一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术。该气相淀积的方法可以在非常低的衬底温度下淀积薄膜，例如在铝(AL)上淀积Si02。工艺上PECVD主要用于淀积绝缘层。 PECVD是在低压气体上施加一个高频电场，使气体电离，产生等离子体。等离子体中的电子和离子，在电场作用下，不断旋转和运动，获得能量而被加速。这些高能粒子与反应气体分子、原子不断发生碰撞，使反应气体电离或被激活成性质活泼的活性基团。高化学活性的反应物可使成膜反应在较低温度下进行。 PECVD的沉积原理与一般的CVD之间并没有太大的差异。等离子体中的反应物是化学活性较高的离子或自由基，而且衬底表面受到离子的撞击也会使得化学活性提高。这两项因素都可促进基板表面的化学反应速率，因PECVD在较低的温度即可沉积薄膜。 在集成电路制程中，PECVD通常是用来沉积SiO2 与Si3N4 等介电质薄膜。PECVD的主要优点是具有较低的沉积温度下达到高的沉积速率 CVD 过程中使用等离子体的好处 1. 更低的工艺温度 (250 – 450℃)； 2. 对高的深宽比间隙有好的填充能力 (用高密度等离子体)； 3. 淀积的膜对硅片有优良的黏附能