固体的能带结构出版(1673KB).pptVIP

* 二 . Ｐ-Ｎ结的单向导电性 １. 正向偏压 在Ｐ-Ｎ结 的p型区接 电源正极， 叫正向偏压。 阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴 向N区运动，电子向P区运动， 形成正向电流（mＡ级）。 p型 n型 I * 外加正向电压越大， 正向电流也越大， 而且是呈非线性的 伏安特性(图为锗管)。 V （伏） ３０ ２０ １０ （毫安） 正向 0 0.2 1.0 I * ２. 反向偏压 在Ｐ-Ｎ结的ｐ型区接电源负极, 叫反向偏压。 阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向Ｎ区运动，也不利于电子向P区运动,没有正向电流。 p型 n型 I * 但是，由于少数 载流子的存在， 会形成很弱的反 向电流， 当外电场很强,反向电压超过某一数值后， 反向电流会急剧增大----反向击穿。 称为漏电流 （?Ａ级）。 击穿电压 V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 * 利用P-N结 可以作成具有整流、开关等　 　　　作用的晶体二极管（diode）。 * §５ 半导体的其他特性和应用 ?热敏电阻（自学） ?光敏电阻（自学） ?温差电偶（自学） P-N结的适当组合可以作成具有放大 作用的晶体三极管（trasistor），以 及其他一些晶体管。 ?集成电路： * 1947年12月23日，美国贝尔实验室 的半导体小组做出了世界上第一只 具有放大作用的点接触型晶体三极管。 ? 固定针B 探针 固定针A Ge晶片 1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。 * p n p 电信号 c b Veb Vcb R e ~ 后来，晶体管又从点接触型发展到面接触型。 晶体管比真空电子管体积小，重量轻， 成本低，可靠性高，寿命长，很快成为 第二代电子器件。 * 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路 下图为INMOS T900 微处理器: 每一个集成块（图中一个长方形部分） 约为手指甲大小， 它有300多万个三极管。 * * ?半导体激光器 半导体激光器是光纤通讯中的重 要光源，在创建信息高速公路的 工程中起着极重要的作用。 　　核心部分是 　　　p型 GaAs 和 n型 GaAs 　　　　构成的 P-N结 　　　　　（通过掺杂补偿工艺制得）。 最简单的GaAs同质结半导体激光器， * 典型尺寸： 长 L = 250～500 ?m 宽 ｗ= 5～10 ?m 厚 d = 0.1～0.2 ?m 它的激励能源 是外加电压 (电泵)．在正向 偏压下工作。 解理面 P-N结 P-N结 * 当正向电压大到一定程度时，在某些特 定的能级之间造成粒子数反转的状态， 形成电子与空穴复合发光。 P-Ｎ结本身就形成一个光学谐振腔， 它的两个端面就相当于两个反射镜， 形成激光振荡, 适当镀膜后可达到所要求的很高的 反射系数，并利于选频。． 有大量载流子跃迁到较高能量的能级上。 由自发辐射引起受激辐射。. * 半导体激光器的特点： 第三章结束 功率可达 102 mW 效率高 制造方便 成本低 所需电压低(只需1.5V ) 体积小 极易与光纤接合 * * * 第 三 章 固体的能带结构 （编者：华基美） * 前言 §1 固体的能带 一. 电子共有化 固体具有大量分子、原子或离子有规则 排列的点阵结构。 电子受到周期性势场的作用。 a 第 三 章 固体的能带结构 * 解定态薛定格方程(略）， 可以得出两点重要结论： １.电子的能量是量子化的; ２.电子的运动有隧道效应。 原子的外层电子(高能级)， 势垒穿透概率 较大， 电子可以在整个固体中运动,称为 共有化电子。 原子的内层电子与原子核结合较紧,一般 不是 共有化电子。 * 二. 能带(energy band) 量子力学计算表明，固体中若有N个 原子，由于各原子间的相互作用，对应于 原来孤立原子的每一个能级,变成了N条靠 得很近的能级,称为能带。 固体中的电子能级 有什么特点？ * 能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 若N~1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。 一般规律： 1. 越是外层电子，能带越宽，?E越大。 2. 点阵间距越小，能带越宽，?E越大。 3. 两个能带有可能重叠。 * 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 * 三 . 能带中电子的排布 固体中的一个电子只能处在某个能带中的 某一能级上。 排布原则： １. 服从泡里不相容原理（费米子） ２. 服从能量最小原理 设孤立原子的一个能级 Enl ，它最多能容纳 2 (2 +1)个电子。 这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后，