光电技术-1第一章光电系统的常用光源(1961KB).pptVIP

一、LED的材料与构型 用于光显示和光电检测。 GaP，Eg=2.24eV，峰值波长555nm，绿光。 GaP:N，掺N量不同，可发绿光(568nm) 或黄光(590nm)。 发光二极管的材料主要是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。 GaP:ZnO，GaP中掺锌、氧，峰值波长700nm，红光。 GaN，LED的有源层是INGaN多量子阱，随组分的差异可发蓝光（450nm）和发紫光（400nm）。 GaAs， Eg=1.43eV ，峰值867nm，近红外光。 GaAs 1-xPx，GaAs与GaP按比例 (1-x) :x 混合的晶体。GaAs0.6P0.4，发光效率高，响应速度快，记为GaAsP。峰值波长650nm，红光，用得较普遍。 InGaAsP，峰值波长1.3μm、1.55μm。 用于短距离光纤通信。 LED采用双异质结、量子阱结构 分为：面发光型－发光功率较大 边发光型－易与光纤耦合 面发光型LED的光输出 面发光型LED用于光显示 边发光型LED用于短距离光纤通信 二、LED的主要工作特性 谱线宽度Δλ在几十～上百μm。 为发光光谱的峰值波长。 P-I 特性 I: 10～数十mA P: 几百μW～mW P-I特性曲线的线性区很宽。 光谱特性 调制特性 可以直接调制 边发光型在几百MHZ面发光型在几十MHZ 调制带宽: 三、发光二极管的应用 LED体积小、寿