正弦波振荡器(精编).pptVIP

图4-21 压控振荡器原理电路 * 4.5.1 变容管压控振荡器的基本工作原理 图4-22(a)所示是一个含有变容二极管的压控振荡器。图中UC为负值的控制电压，为一慢变化的直流电压（也可以是交流缓慢变化电压或其他交变电压）。变容二极管的等效电容量受UC的控制，电容C4与变容二极管串联，可减小变容二极管与振荡回路的耦合程度，提高振荡器中心频率的稳定性。根据图4-22(b)所示的高频等效电路可以看出，这个电路实质上是一个西勒振荡电路，但不同之处是与电感L并联的电容已不是一个固定的电容或机械可调电容，而是一个变容二极管。由于它的等效电容量受控制电压UC的控制，因此，改变控制电压的大小，实际是改变了回路的参数，从而实现了电压对振荡器振荡频率的控制。 * 图4-22 LC压控振荡器及其高频等效电路 * 4.5.1 变容管压控振荡器的基本工作原理 在压控振荡器中，振荡频率本应只随加于变容管的控制电压而变化；但在VCO中，振荡电压也加于变容管两端，这使得振荡频率在一定程度上也随着振荡振幅而变化，这是不希望的。为了减小振荡频率随振荡振幅的变化，应尽量减小振荡器的输出振荡电压振幅，并使变容管工作在较大的固定直流偏压（比如大于1V）上，这样就可以减小由振荡电压加于变容管造成的振荡频率变化。 图4-23是一个场效应管压控振荡器电路。它的基本电路是一个栅极电路调谐的互感反馈振荡器，决定频率的回路元件是Ll、Cl、C2和压控变容管的Cj，Cj是通过与C2串联后，再与C1并联而影响回路总电容的。变容管通过阻止高频电流流入偏压电源的100k?电阻获得?1～?12V的反向偏压，压控振荡器的振荡频率可在?1%的范围内调变。 * 图4-23 场效应管压控振荡器电路 * 4.5.1 变容管压控振荡器的基本工作原理 压控振荡器的主要性能指标是压控灵敏度和线性度。其中压控灵敏度定义为单位控制电压引起的振荡频率的增量，用S表示，即 S=Δf/ΔuC （4-25） 图4-24是变容二极管压控振荡器的频率一电压特性。一般情况下，这一特性是非线性的，其非线性程度与变容指数n和电路结构有关。在中心频率附近较小区域内线性度较好，灵敏度也较高。 * 4.5.2 晶体压控振荡器 为了提高压控振荡器中心频率稳定度，可采用晶体压控振荡器。在晶体压控振荡器中，晶振或者等效为一个短路元件，起选频作用；或者等效为一个高Q值的电感元件，作为振荡回路元件之一。通常仍采用变容二极管作压控元件。 图4-25所示是用集成运放构成的晶体压控振荡器。图中石英晶体构成具有选频特性的正反馈电路，显然，此时振荡器只能振荡在晶体的串联谐振频率fS上。加入变容二极管后，由于它的等效电容量受控制电压UC的控制，Cj的变化将引起振荡器振荡频率的变化，从而达到压控振荡的目的。为使压控振荡器的振荡频率仍然是晶体的串联谐振频率，以提高振荡频率的稳定性和准确性，图中与变容二极管串联一个电感L，使Cj与L的谐振频率等于晶体的串联谐振频率。由于晶体的Q值很高，接入Cj、L后对Q值的影响并不大，因此，这种晶体压控振荡器比一般压控振荡器的性能更优良，但它的频率调整范围较小。 * 图4-25 晶体压控振荡器 图4-26 串联电感扩展法实现的晶体压控振荡器 * 4.5.2 晶体压控振荡器 在有些晶体压控振荡器中，晶振作为一个电感元件，变容二极管与其串联。通过控制电压调节变容二极管的电容值，使其与晶振串联后的总等效电感发生变化，从而改变振荡器的振荡频率。这种电路的缺点是频率控制范围很窄，仅在晶振的串联谐振频率fS与并联谐振频率fp之间。为了增大频率控制范围，可在晶振支路中增加一个电感L，与晶振串联或并联，分别相当于使fS左移或fp右移，使可控频率范围fS～fp增大，但电抗曲线斜率下降。所以L越大，频率控制范围越大，但频率稳定度相应下降。图4-26所示是应用串联电感扩展法实现的晶体压控振荡器，该电路的中心频率约为20 MHz，频偏约为10 kHz。 * 4.5.3 应用实例 1．集成运放压控振荡器图4-27所示为MAX2607芯片组成的压控振荡电路。图中，L为外加谐振电感；C为调谐电压的滤波电容；VT为调谐电压，来自PLL锁相环或者信号源；Z1、Z2为VCO输出上拉阻抗（或电感）；VD为变容二极管。该集成芯片工作频率在200～450MHz之间。 MAX2607芯片主要用在移动通信等接收设备中作本振VCO或作PLL的频率发生单元。使用中只需根据给定条件适当选择外接电感L，并正确连接上拉负载Z1、Z2就可以在指定频率下正常工作。而且必须正确地调节电路的环路增益，使其在工作泛音频率上略大于1，满足起振条件，而在更高的泛音频率上都小于1，不满足起振条件。在实际应用时，可在三点式振