光电显示技术知识3.8 有源矩阵液晶显示器件.ppt

3.8　有源矩阵液晶显示器件;有源矩阵;一、二端有源器件;MIM结构;　设二极管正向导通电压为Vb，二极管正向导通，处于显示状态的像素所在的行和列间的电压为：;　被选择的像素充电后，当寻址信号移去，像素上电荷只有靠自身的漏电才能泄放掉，所需时间ιLC应小于Tf(帧周期)，否则影响器件的响应。;lechner二极管矩阵;2、金属一绝缘体一金属(MIM)寻址矩阵液晶显示;MIM屏剖面图;①首先在基片玻璃上反应溅射生长一层Ta2O5；;⑤再沉积上一层Cr，并光刻，于是在“T”竖条处的Ta2O5形成一层较厚的桥状金属接触； ⑥最后用反应溅射方法淀积一层ITO膜，并光刻成方形像素电极。像素电极与上一步工艺中形成的Cr电极是相连的。;　等效电路如图，加在选择像素上的脉冲电压由电容分配，加在非线性元件上的电压VMIM为：;　在扫描选通TON末尾，即选择脉冲下降的时候，加在液晶像素上的充电电压VLC由于受CLC和CMIM电容耦合的影响，而减小ΔV，导致VLC有效值降低，希望ΔV尽可能小。;为了使MIM液晶屏上获得高的图像质量，MIM须满足：;3、ZnO变阻器寻址矩阵液晶显示;二、三端有源器件;VDS;　另一方面,漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用(UGS UT)：;场效应晶体管的开关原理：;　在VG＞VT的情况下，由VG的纵向电场作用，在半导体层的表层将有感应电荷积累，形成表面层导电沟道(VG为正时，为n沟道)，此时，VD作用下的漏电流ION由渐次沟道近似得：;　设FET导通时漏源间的电阻为Ron，关断（开路）时漏源间电阻为Roff，导通时像素电容充电，充电时间TH，关断时像素电容放电，放电时间TF，;　⑴扫描到某一行时，扫描脉冲使该行上的FET导通，同时各列将信号施加到液晶像素上，且对并联的电容器充电。;三端AM－LCD方式优点：;　a-Si是一种利用表面效应的绝缘栅场效应晶体管，它通常由不掺杂或均匀轻掺杂的高阻半导体a-Si与其一侧表面相接触的绝缘层组成，有三个电极：源极和漏极，栅极。;　a-si:H的导电性与c-Si有很大差别。主要表现在两个方面：①载流子迁移率小；②载流子浓度低。;　将漏、源电极直接作在a-Si:H有源层上，不可能保证完好的欧姆接触。在铝电极和有源层之间夹一层重掺磷的n＋型a-Si:H层，就可???证电极与有源层之间的欧姆接触。;①先光刻好透明电极ITO的图形；;⑵a-SiTFT转移特性;⑶对TFT的要求：; 3、p-Si TFT（poly crystal silicon）方式;　p-si TFT制造工艺可分为高温工艺（HTPS）和低温工艺(LTPS )，若在制造过程中的最高温度超过600℃(通常达1000℃以上)，为高温工艺。相反，在600℃以下(含600℃)为低温工艺。;⑵低温多晶硅;　有了反相器，再与n沟道TFT、p沟道TFT组合便可构成各种门电路。在TFT LCD周边电路中，主要使用移位寄存器和缓冲存储器。;4、单晶硅液晶显示(微型硅基液晶显示器LCOS）;优点：;;三、液晶电视;2、TFT矩阵寻址的液晶电视;⑵TFT液晶电视框图;⑶移位寄存器;3.9　液晶显示器的主要材料及制造工艺;2、液晶显示用平板玻璃; 新华网西安10月20日电,记者从中国最大的显示器件制造企业——彩虹集团了解到，由彩虹集团建设的中国第一条液晶玻璃基板生产线日前全线贯通，生产出了中国第一块第五代液晶玻璃基板，实现了中国液晶玻璃基板产业零的突破。此条生产线的建成投产，打破了国外企业对这一产品的垄断局面，结束了中国液晶玻璃基板依赖进口的历史，标志着中国显示器件产业正在由传统产品向新型高端显示领域寻求突破。 ;3、透明导电玻璃;4、偏光片;5、显示器其他常用材料;二、液晶显示器一般制造工序;2、取向排列;4、灌注液晶和封口;L.C;三、 液晶显示器的连接;目前采用的背照光源主要有： ⑴发光二极管（LED），多用于小型设备中。 ⑵电致发光板（EL），便携式及面积稍大时适用。 ⑶冷阴极荧光灯（CCFL），彩色显示及大面积显示时适用。 ⑷平板荧光灯（VFD）;侧导光式CCFL背光照明系统;CCFL与LED对比;五、彩色滤色膜（CF，color filter）;2、彩色滤色膜的制造工艺;3、黑矩阵的制造工艺;液晶显示器件各主要成份的成本;3.10 液晶技术的新进展;1、液晶盒外光学补偿法;3、改变液晶分子排列方式;⑵IPS平面控制模式 ;⑶垂直取向模式(VA-mode);②PVA模式;⑷边缘场开关模式(FFS);CPA（Continuous Pinwheel Alignment，连续焰火状排列）技术。这是夏普在液晶领域的一大发明。夏普CPA液晶屏属于VA软屏，像素呈蜂窝状或者六角形。CPA模式的每个像素都具有多个方形圆角的次像素电极，当