第七章_半导体工艺方法技巧.pptVIP

第七章 半导体工艺介绍;1 半导体产业介绍;1.1 半导体工业的诞生;;1.2 固态器件;1.3 集成电路;1.4 工艺和产品趋势; 一个尺寸相同的芯片上，所容纳的晶体管数量，因制程技术的提升，每18个月到两年晶体管数量会加倍，IC性能也提升1倍。现以1961年至2006年期间半导体技术的发展为例加以说明，IC电路线宽由25微米减至65纳米，晶圆直径由1英寸增为12英寸，每一芯片上由6个晶体管增为80亿个晶体管，DRAM密度增加为4G位，晶体管年销售量由1000万个增加到10的18次方至19次方个，但晶体管平均售价却大幅下降10的9次方倍。 ;特征尺寸的减小和电路密度的提高产生的结果是： 信号传输距离的缩短和电路速度的提高，芯片或电路功耗更小。 1.5 半导体工业的构成 半导体工业包括材料供应、电路设计、芯片制造和半导体工业设备及化学品供应五大块。 目前有三类企业：一种是集设计、制造、封装和市场销售为一体的公司；另一类是做设计和销售的公司，他们是从芯片生产厂家购买芯片；还有一种是芯片生产工厂，他们可以为顾客生产多种类型的芯片。;1.6 器件制造;第一步 材料准备 第二步晶体生长与晶圆准备; 第三步 芯片制造 第四步 封装;;;3 晶园制备;硅晶圆尺寸是在半导体生产过程中硅晶圆使用的直径值。硅晶圆尺寸越大越好，因为这样每块晶圆能生产更多的芯片。比如，同样使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心，300mm直径的晶圆的面积是200mm直径晶圆的2.25倍，出产的处理器个数却是后者的2.385倍，并且300mm晶圆实际的成本并不会比200mm晶圆来得高多少，因此这种成倍的生产率提高显然是所有芯片生产商所喜欢的。　　然而，硅晶圆具有的一个特性却限制了生产商随意增加硅晶圆的尺寸，那就是在晶圆生产过程中，离晶圆中心越远就越容易出现坏点。因此从硅晶圆中心向外扩展，坏点数呈上升趋势，这样我们就无法随心所欲地增大晶圆尺寸。; 随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加??。目前，硅片主流产品是 200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余 占20%左右。根据最新的《国际半导体技术指南（ITRS）》，300mm硅片之后下一代产品的直径为450mm；450mm硅片是未来22纳米线宽 64G集成电路的衬底材料，将直接影响计算机的速度、成本，并决定计算机中央处理单元的集成度。 ;;3.2 晶体生长 半导体材料都是由构成其成分的原子规律排列而成，通常把这种原子规律排列而成的材料称为单晶。而它是由大块的具有多晶结构和未掺杂的本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂，叫做晶体生长。有三种不同的生长方法：直拉法 区熔法 液体掩盖直拉法 ;3.2.1 直拉法 大部分的单晶都是通过直拉法生长的。生产过程如图所示。 特点：工艺成熟，能较好地拉制低位错、大直径的硅单晶。缺点是难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染。;3.2.2 液体掩盖直拉法 此方法主要用来生长砷化镓晶体，和标准的直拉法一样，只是做了一些改进。由于熔融物里砷的挥发性通常采用一层氧化硼漂浮在熔融物上来抑制砷的挥发。故得其名，如图所示。;3.2.3 区熔法 主要用来生长低氧含量的晶体，但不能生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度。这种工艺生长的单晶主要使用在高功率的晶闸管和整流器上，生长系统如图所示。; 3.3 晶体外延生长技术 外延是一种采取化学反应法进行晶体生长的另一种技术。在一定条件下，以衬底晶片作为晶体籽晶，让原子（如硅原子）有规则地排列在单晶衬底上，形成一层具有一定导电类型、电阻率、厚度及完整晶格结构的单晶层，由于这个新的单晶层是在原来衬底晶面向外延伸的结果，所以称其为外延生长，这个新生长的单晶层叫外延层。最常见的外延生长技术为化学气相淀积（CVD）和分子束外延生长（MBE）。 ;外延生长的基本原理 ;硅的CVD外延 化学气相淀积是指通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 ;分子束外延 分子束外延（MBE）是在超高真空条件下一个或多个热原子或热分子束蒸发到衬底表面上形成外延层的方法 。;分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE。其方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长