电子科技大学成都学院集成电路原理课件第十一章 mos模拟集成电路.ppt

第10章 MOS模拟集成电路 1. MOS模拟集成电路基础 2. MOS模拟IC子电路 3. CMOS集成运算放大器 4. CMOS集成运放电路分析与设计 （25） 其灵敏度如下，不如BJT时的情况。 （26） 图11（b）所示结构提供的基准电压如下，灵敏度与（a）结构相似。 （27） （4）齐纳Zenor二极管基准电压源 图12 齐纳二极管基准源 如图12所示，其中的二极管为重掺杂p+n+结，工作于反向击穿状态，其电源电压灵敏度： （28） 假设：VDD=10V，VBV=6.5V，rz=100?，R=35k?，则此基准电压源的灵敏度为0.0044。 3、CMOS带隙基准源 图13 CMOS带隙基准源 CMOS带隙基准源电路见图13，此结构实现了一种较为精确的基准电压源。主要利用了MOSFET的亚阈区工作时电流的正温度系数特性与BJT的BE结导通电压VBE的负温度特性相互补偿，达到恒定的基准电压输出。 MOSFET亚阈区电流： （29） （30） 和工作在强反型时一样，亚阈区阈值电压VT的温度系数也为负的，其亚阈区电流主要受VT的影响，随温度的增加而增加，即温度系数为正。 BE结导通电压VBE与温度的关系： （32） 可见，亚阈区电流为正温度系数。Why? 根据半导体能带理论，温度升高，半导体内载流子具有的能量增加，本征激发增强，本征载流子浓度ni增大，由PN结接触电势差 ， 将随之降低，即BE结导通电压随温度升高而降低，因此，VBE是负温度系数。 由图13可得： （33） 而BE结导通电压为负温度系数，Why? 求得： （34） 又∵ ∴ （35） VREF的温度系数： （36） 得，基准电压为 令 ，则 （37） 以上式中： S — MOS管的宽长比W/L Vg0 — Si禁带宽度电压 V-BEO— T=T0时，接成二极管形式的VBE值 n — 亚阈值倾斜因子，由实验数据提取获得。 n’ —与双极晶体管工艺有关，一般为1.5?2.2。 ID0 —与工艺有关的参量，受VSB、VT的影响 如电路设计使各MOS管尺寸满足此条件，即可实现基准源输出不受温度影响： （38） 2.4 MOS差分放大器 1、NMOS差分放大器 （1）工作原理与小信号特性 对于差分对结构，T1、T2应是对称的，即：?1=?2，VT1=VT2。其差分输入信号： （39） 图14 NMOS差分放大器 偏置电流： （40） （41） 如采用单端输出，此放大器跨导为： （42） 联立（39）、（40），可得 （忽略高次项） 如采用差分双端输出，其跨导为： （43） 可见，差分放大器双端输出时，其跨导相当于单管gm。 由T1一侧支路的等效电路，可得： （44） 如双端输出，其电压增益为： （45） （2）差分放大器的输入失调电压VIO VIO包括三个因素： 则： （46） 而： （47） （3）共模抑制比CMRR （48） 因为与BJT相比，MOSFET的gm较小，r0较小，所以AVD较小，MOS差分放大器的CMRRBJT的CMRR。但MOS差分放大器高输入阻抗，使其以较小的输入电流便可驱动，优于BJT电路。 2、CMOS差分放大器 （1）NMOS输入的CMOS差分放大器 图15 NMOS输入的CMOS差分放大器 如15图所示，M1、M2构成源耦合对，做差分输入；M3、M4构成电流镜作M1、M2的有源负载；M5、M6构成电流镜提供恒流源；M6、M7为偏置电路提供偏置。另外，此电路还实现了差分输出信号的单端转换。 由以上分析可以看出，单端信号输出时，V0是以交流地为参考的。同时，由于是差分输出，此放大器跨导和电压增益分别为： (gm=gm1=gm2) （49） （50） （2）PMOS输入的CMOS差分放大器 图16 PMOS输入差分放大器 PMOS输入的差分放大器工作原理与NMOS输入的相似，但应注意的是两种电路形式的性能与工艺选择有很大的关系。 例如：对于n型衬底P阱工艺，应采用NMOS输入还是PMOS输入？ 如果是p型衬底N阱工艺呢？ 2.5 反相放大器 1、有源电阻反相放大器 （1）小信号电压增益及输出电阻 图17 有源电阻反相器及其等效电路 （51） （52） （2）小信号频率响应 图18 考虑了寄生电容的反相器结构及其小信号等效模型 根据小信号模型，可得