3、第三章半导体材料应用.pptVIP

第三章半导体材料应用 3.1 半导体材料的物理基础 1 本征半导体 3.1 半导体材料的物理基础 2 半导体中的杂质 n型半导体 3.1 半导体材料的物理基础 2 半导体中的杂质 p型半导体 3.1 半导体材料的物理基础 2 半导体中的杂质 浅能级杂质 深能级杂质 3.1 半导体材料的物理基础 3 费米能级和载流子密度 3.1 半导体材料的物理基础 4 电导与霍尔效应 3.1 半导体材料的物理基础 4 电导与霍尔效应 为了直接测量载流子浓度和电导率，最直接的方法是利用霍尔效应。 3.1 半导体材料的物理基础 5 非平衡载流子 3.1 半导体材料的物理基础 5 非平衡载流子 非平衡载流子的复合和寿命 3.1 半导体材料的物理基础 5 非平衡载流子 非平衡载流子的扩散 3.2 半导体材料的性质 1 光吸收与光电导 3.2 半导体材料的性质 1 光吸收与光电导 3.2 半导体材料的性质 2 电容效应与击穿特性 电容效应 势垒电容 扩散电容 3.2 半导体材料的性质 2 电容效应与击穿特性 击穿特性 pn结上加反偏电压会形成很小的反向电流。但反偏电压不能无限制地增大，到某一临界值，反向电流将急剧增大，这种现象称为结的击穿。 击穿并不等于器件的烧毁 。 隧道击穿 雪崩击穿 3.2 半导体材料的性质 3 压阻效应与磁阻效应 压阻效应 3.2 半导体材料的性质 3 压阻效应与磁阻效应 磁阻效应 半导体材料受到与电流方向垂直的外加磁场作用时，不但具有霍尔效应，还会出现电流密度下降和电阻率增大的现象，这种外加磁场使电阻变化的现象称为磁阻效应。 物理磁阻效应 几何磁阻效应 3.2 半导体材料的性质 4 电阻率的温度特性 3.3 半导体材料的分类 3.3 半导体材料的分类 1 元素半导体材料 （1）Si是目前应用于半导体工业的主要材料 （2）Ge是开发较早的半导体材料 （3）硒是一种黑色玻璃态半金属 （4）金刚石是碳的同素异构体。 3.3 半导体材料的分类 2 化合物半导体材料 （1）砷化镓（GaAs）单晶是目前应用最广泛的化合物半导体材料 （2）磷化铟( InP)单晶是最重要的III-V族化合物半导体材料之一, 是继Si、GaAs之后的新一代电子功能材料 （3）SiGe材料被称为“第二代硅微电子材料” （4）碳化硅(SiC)有独特的物理及电子特性 3.3 半导体材料的分类 3 非晶体半导体 非晶态物质是原子排列上的长程无序而短程有序的一种结构。 目前主要的非晶态半导体有两大类：一类是四面体键非晶态半导体 如非晶态Si、Ge、GaAs等； 另一类是硫系玻璃，即含硫族元素非晶态半导体，如二元系（As-Se、As-S）和多元系（As-Se-Ge-Te）。 3.3 半导体材料的分类 3 非晶体半导体 非晶态半导体的电子结构 3.3 半导体材料的分类 3 非晶体半导体 非晶态半导体中的缺陷 这些缺陷在禁带之中引入一系列局域能级，它们对非晶态半导体的电学和光学性质有着重要的影响。 非晶硅中的缺陷 硫系非晶态半导体中的缺陷 3.4 半导体材料的制备工艺方法 1 多晶制备工艺 以Si为例介绍多晶的制备工艺过程 3.4 半导体材料的制备工艺方法 2 单晶制备工艺 水平生长 3.4 半导体材料的制备工艺方法 2 单晶制备工艺 垂直生长 3.4 半导体材料的制备工艺方法 2 单晶制备工艺 晶体拉制 1）提拉法 3.4 半导体材料的制备工艺方法 2 单晶制备工艺 晶体拉制 2）液封拉晶法 3.4 半导体材料的制备工艺方法 2 单晶制备工艺 晶体拉制 3）浮区法 4）边缘定义薄膜法 3.4 半导体材料的制备工艺方法 3 外延生长技术 在英文中，“外延”一词epitaxy是由希腊词“epi”“taxio”引申而来的，是指在衬底上进行排列的意思。 外延的含义是指，在一定的条件下，某种物质的原子（或分子）在经过仔细加工的衬底（单晶）表面进行定向生长，形成有规则排列，最终得到与衬底具有相同晶格排列的过程。经过这样的生长过程，可以形成一种连续、平滑且与衬底的晶格结构有对应关系的单晶层，该单晶层称为外延层。生长外延层的过程称为外延生长。 同质外延 异质外延 3.4 半导体材料的制备工艺方法 3 外延生长技术 气相外延法 MOCVD 3.4 半导体材料的制备工艺方法 3 外延生长技术 液相外延法(LPE) 3.4 半导体材料的制备工艺方法 3 外延生长技术 分子束外延法 (MBE) 3.5 半导体材