第6章节压电陶瓷材料及其应用1.ppt

压电材料在电子材料领域已占据相当大的比重，并在各行各业得到了广泛应用。在电子学领域，如信号处理、存贮显示、接收发射、计测、信号发生器及电源等方面都得到了应用，如滤波器、延迟线、光开关、铁电存贮器、压电引信、压电电源、振动加速度计、压电陀螺、压电变压器、声表面器件等。 ;6.1 压电陶瓷的生产工艺 ; 要使压电陶瓷得到完善的极化，充分发挥其压电性能，就必须合理选择极化条件： 极化电场（样品单位长度上的极化电压）； 极化温度； 极化时间； ;1）???极化电场 只有在极化电场作用下，电畴才能沿电场方向取向排列，所以极化电场是极化诸条件中的主要因素。影响极化电场的因素有： ;E;b)矫顽电场: 极化电场必须大于矫顽电场，且为矫顽电场的二到三倍. 矫顽电场Ec与样品的组成、结构、温度均有很大关系，相应的极化电场也会随Ec而改变，因为不同杂质会导致晶体的晶胞参数改变，对c/a越小，极化时电畴90°转动所造成的内应力越小，实现转向较容易，因此极化较充分。 c)??极化温度：Ec随T升高而降低，因此极化温度高，则极化电场相应减小。 d)?Eb: 极化电场有时会受击穿强度的限制，在较高的极化电场下，样品会被击穿。影响Eb的主要原因是：气孔、缝隙及成分的不均匀性，因此必须尽可能保证样品的致密度和均匀性。;2） 极化温度 前面我们已提到极化温度升高，可降低极化电场，因此极化温度对极化也有很大的影响。 在极化电场和极化时间一定的条件下，温度升高，电畴取向更容易，极化效果好，原因：; a)??结晶的各向异性随温度升高而下降 对PbTiO3，在室温时，c/a=1.063；在200℃时，c/a=1.050，即温度升高，c/a减小,电畴作90°转向所造成的内应力下降，即电畴转向所受阻力下降，极化容易进行。 对PbTiO3，在室温时，10kV/mm仍不能完全极化；而在200℃时，用5.5kV/mm即可充分极化。 b)??杂质引起的空间电荷效应 有些杂质使样品中出现大量空间电荷，空间电荷在样品中会产生一个很强的电场，该电场对外加极化电场有屏蔽作用，温度越高，电阻率越小，由空间电荷产生的电场的屏蔽越小，极化效果越好。;2、极化工艺 因空气的击穿强度较低，在室温下只有2kV/mm，而有机硅油或变压器油绝缘性能好，且在油中温度易恒定，因此通常用油浸极化，即将样品入在有机硅油或变压器油中进行极化。工艺如下： a)?上电极--磨边--清洗--烘干--检查，剔除电阻太小的样品； b)??通电加热极化池，油温升到极化所需温度； c)?将样品放好，接通电源预热几分钟，升电压到所需数值， 计时 d)?关高压开关，放电、清洗; 极化过程中会出现击穿现象 压电陶瓷的击穿类型有： 样品中存在气孔、夹层或裂缝，引起击穿； 烧成时失铅或烧银时氧气氛不足，使样品边缘部分被还原，产生边缘击穿； 极化时90°畴转向产生大的内应力，由于应力分布不均匀，形变不一致，而使样品碎裂。 解决方法： ???在成型，烧结等工序中，防止分层，裂缝及气孔的出现，提高致密度； ?? 烧成时防止失铅，烧银时注意通氧； 极化时缓慢升压，防止样品突变发生形变。 ; 本章重点介绍压电陶瓷及其应用，而作为压电材料应用的大多属铁电体，通常在介绍材料时会将铁电压电材料归为一类。 ;铁电压电材料常见结构类型：;一、一元系压电陶瓷 1） BaTiO3系压电陶瓷 预极化后的BaTiO3压电陶瓷的压电、介电、弹性系数如图： ;单晶及极化后陶瓷的介电与压电性能比较见下表： ; 以Pb取代Ba，可使居里点提高，第二相转变点下降，使两转变点温度区间扩大。在此温度区间内各压电参数的热稳定性有所提高，且压电效应增大，晶格畸变大，矫顽电场增加。 若以Ca取代Ba，虽然居里点没有明显变化，但第二相转变点也降低，并提高了压电、介电及弹性参数的热稳定性，减少了介电损耗。 下图分别表示了Pb、Ca改性后，陶瓷的压电系数与温度的关系。;-20 0 20 40 （T/℃）; 由图可见，经过Pb、Ca改性后第二相转变点已移至-20℃，各压电系数虽有所下降，但其热稳定性却在提高。经Pb和Ca同时改性后，d31基本不随温度变化而变化。 此外添加其它元素改性，如添加La, Bi, Nb, Ta等，可提高材料的高温电阻率；添加Co, Ni, Cr则可降低材料的强场损耗。;2） PbTiO3系压电瓷 PbTiO3也属钙钛矿结构的铁电体，居里温度为490℃。在此温度下会发生顺电立方相与铁电四方相的转变。其相变前后晶胞参数的变化与B