单元_半导体存储器.ppt

用户可直接写入信息的只读存储器，称为可编程只读存储器，简称PROM。PROM中所存储的内容是由用户根据需要自己写入的，但只能写入一次，一经写入，存储内容即被固定且不能修改。 由于PROM只能进行一次编程，而EPROM的内容可以多次修改，也能长期保存。修改时，用紫外线灯照射芯片上方的石英窗口一段时间（10~30min），芯片中的信息全部丢失，然后再用专用编程器写入新的内容。为使写好的信息不丢失，通常在窗口上都贴有避光纸，以防止外界紫外线照射。芯片写好后，数据可保持10年左右。另一种是电擦除可编程方式，称为EEPROM（也写作E2PROM）。它是从EPROM发展而来的，它是针对EPROM不能按单元修改以及不能电擦除的缺点而改进的。E2PROM的擦除和写入实际是同一过程，擦除实为改写。改写时需要加高压电源，有外接的，使用时要由用户提供。 INTEL2716 EPROM芯片的引脚图如图所示。它由存储矩阵、译码器、数据输出电路和控制电路等组成。它的A0~A10为11位地址码，其中A3~A10是8位行地址码，可译出28= 256条行地址线（字线），A2~A0是3位列地址码，它通过8个八选一数据选择器从64条位线中选出8条位线组成一个字输出，因此它的容量为28×23 = 256×8 = 2k字。 2764内容测试 按照电路图连接电路，接好电源，然后进行测试： 地址译码器分为行地址译码器和列地址译码器。在给定地址码后，行地址译码器输出线（又称字线）中有一条为有效电平，它选中一行存储单元，同时列地址译码器的输出线（又称位线）中也有一条为有效电平。 存储位电路分为静态和动态两种。静态存储位电路，它由触发器、控制电路和开关管等构成。所谓动态存储是相对静态而言，静态存储只要不断电，信息就可永久保存，而动态存储则不然。静态RAM的优点是存取速度快，不需刷新，缺点是基本存储电路包含器件数目较多，功耗较大，成本较高。动态RAM所用器件少，功耗低，集成度高，价格便宜，缺点是存取速度较慢，并要有刷新电路，主要用作内存。 以典型的SRAM芯片2114为例介绍。它是双列直插18脚封装器件，存储容量1024×4，最大存取时间200~450ns，采用+5V电源供电，与TTL电平完全兼容。 当单元RAM不能满足存储容量的要求时，这时可把多个单片RAM进行组合，扩展成大容量的存储器。 一、RAM的位扩展 当利用单片RAM的位数不够时，就要进行位扩展。位扩展就是把n片相同RAM的地址并接在一起，让它们共用地址码，各片的片选线 二、RAM的字扩展 当利用单片的RAM的字数不够时，就要进行字扩展。字扩展就是把n片相同RAM的数据线并接在一起作为共用输入/输出端（即位不变），读/写控制线也接在一起，把地址线加以扩展，用扩展的地址线去控制各片RAM的片选线。 三、RAM的位线和字线同时扩展当RAM的位线和字线都需要扩展时，一般是先进行位扩展，然后再进行字扩展。 可编程阵列逻辑通常用来实现某些特殊的组合逻辑函数。PAL是由可编程的“与阵列”、固定的“或阵列”和固定输出的可编程器件组成。 例 如图所示为用PAL实现的一组组合逻辑函数，试写出该组逻辑函数的表达式。 GAL与PAL都属于可编程逻辑器件，它们的基本门阵列结构一样，都由可编程与阵列和固定或阵列组成。它们的不同在于：① PAL是PROM的熔丝工艺，一旦编程后便不能改写，通用性差，使设计者在选择最佳型号时遇到困难。GAL弥补了上述不足，GAL是E2PROM工艺，可重复编程；② PAL的输出是固定的，而GAL用一个可编程的输出宏单元（OLMC）作为输出电路。在这个OLMC中，包括或阵列和输出寄存器，还有一些编程控制电路。由于可编程，使它能够方便地组成多种不同的输出组态，因此比PAL更灵活，功能更强，应用更方便。 16V8引脚排列如图所示，引脚2~9为八个输入缓冲器的输入端；引脚12~19为八个输出端；引脚1为时钟CP端，引脚11为输出三态控制端OE，这两个引脚有时可作输入端；引脚20为+5V电源端，引脚10为“地”端。 GAL器件给逻辑设计领域带来了新的自由。设计者可以使用GAL 开发工具（软件开发工具以及编程器）代替现存的传统逻辑设计，以求新产品设计的优化。GAL器件可以被编程为基本逻辑门、基本触发器、移位寄存器、4位可逆计数器、7位计数器、存储器、地址译码器、四选一数据选择器、3~8线译码器、4 位串联加法器等。 例8.4 应用16×16的点阵，使用逐列循环扫描的方式，不间断地显示英文字母或汉字。解：16×16的点阵显示是很多复杂显示系统的应用基础，