模电第4章MOS场效应晶体管.pptVIP

该图为MOSFET在漏源之间的电压vDS较小时的伏安特性，该器件相当于一个线性电阻，其阻值vGS由控制 小结: 形成导电沟道过程: 当vDS =0, vGS 0时,排斥空穴,吸引电子,衬底表面出现耗尽区； 当vGS慢慢增加时,电子聚集衬底表面形成反型层; 当vGS Vt（ 开启电压），形成导电沟道， vGS越大，沟道电导越深； 当vDS 0时，在导电沟道上出现了从源区向漏区移动的电子形成漏极电流；漏极电流随着漏极电压的上升而上升； 演示： NMOS在vGS Vt 时，漏极电流与漏源电压的关系 该图为增强型NMOS晶体管工作于 Vt 时，漏极电流与漏源电压的关系 NEMOSFET的电路符号 漏极电流与vDS的关系（不推导） 演示： 例题4.4 设计图所示的电路以得到0.1V的漏极电压。在该工作点上，漏 极和源极之间的有效电阻为多少？Vt=1V， 例题4.5 直流通路画法： 将所有交流电压源或是交流电流源的大小看做为0，但保留信号源内阻； 将所有的耦合电容或是旁路电容视为断路。 交流通路的画法： 将所有直流电压源或是直流电流源的大小看做为0，一般直流信号源内阻为0或无穷大； 将所有的耦合电容或是旁路电容视为短路。 例题4.10（P252）：求小信号电压增益、输入电阻、最大允许输入信号，其中： 接源极电阻的共源放大器的推导（不考虑rO) 接源极电阻的共源放大器混合π模型的分析 接源极电阻的共源放大器 共栅(CG)放大器的交流分析： 共栅(CG)放大器的交流分析： 4.9.2 低频响应 CS放大器的低频响应推导 CS放大器的低频响应推导 CS放大器的低频响应推导 CS放大器的低频响应推导 + vo - + - + - vsig Rsig vi ii ↓ RD RL CG小信号π等效电路 * 输入电流信号的共栅放大器 考虑电流增益： 用混合π模型推导（画模型） * 共栅放大器的特征参数 输入电阻 电压增益 总电压增益 输出电阻 * 共栅放大器的总结 输入电阻比较低 CS和CG放大器的电压增益几乎相等，而CG放大器的总电压增益要比CS放大器小(1+gmRsig）倍，这是由于CG电路的输入电阻较低所致 相对高的输出电阻 电流跟随器 具有较好的高频性能 BACK 4.7.6共漏或源极跟随放大器 采用恒流源偏置 信号从栅极进；从源极出. + RD VDD RG I -VSS ↓ - vi + - RL 共漏放大器—源极跟随器 vsig Rsig CC1 CC2 vo RL + vo - ↓ S + - + - vsig Rsig vi ii RG ro CD小信号T等效电路 * 在小信号等效电路上进行交流性能分析： RL + vo - ↓ S + - + - vsig Rsig vi ii RG ro CD小信号T等效电路 * 直接在交流通路上进行小信号分析 CD小信号交流通路 RL + vo - S + - + - vsig Rsig vi ii RG ro 直接在交流通路上求输出电阻： S Rsig ii=0 vg=0 RG ro ↓ S Rsig ii=0 RG ro 4.6.5小信号等效电路模型（混合π模型） 考虑沟道长度调制效应，用输出电阻 ro = |VA| /ID建模 忽略饱和区中的沟道长度调制效应 考虑沟道长度调制效应 ↓ + vgs - gmvgs S D G ro D G S ↓ + vgs - gmvgs S D G 跨导参数小结： 考虑沟道长度调制效应 ↓ + vgs - gmvgs S D G ro iD RG=10MΩ +15V RD=10kΩ 直流通路 解：（1）直流分析（直流通路——电容开路，电感短路）： 可得： iD + vi - RG=10MΩ +15V RD=10kΩ RL=10kΩ 解：（2）交流分析（交流通路——电容短路，直流电源短路）： iD + vi - RG=10MΩ +15V RD=10kΩ RL=10kΩ ↓ + vgs - S D G ro + - RL + vO - vi ii RD RG 交流通路 解：（2）交流分析（交流通路——电容短路，直流电源短路）： iD + vi - RG=10MΩ +15V RD=10kΩ RL=10kΩ ↓ + vgs - S D G ro + - RL + vO - vi ii RD RG 交流通路 iD +