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电源 同向输入 反向输入 去耦 4.4.3 集成功率放大器 1. LM386——小功率通用型集成功率放大电路 5 1 8 4 6 3 2 7 UCC UOUT IN+ GAIN IN- GAIN BYPASS GND LM386符号图 输出 增益调节 增益调节地 地 (1)特点与主要参数: LM386是一种音频集成功率放大器，具有功耗低、增益可调整、电源电压范围大，外接元件少等优点。 其电路类型为OTL。主要参数有：电源电压范围：5~18V，静态电源电流：4mA，输入阻抗：50kΩ，输出功率：1W（UCC=16V，RL=32Ω），电压增益：26~46dB，带宽：300kHz总谐波失真：0.2%。 (2) LM386应用 1. C1为输出电容，引脚1和8开路，所以增益26dB，即放大倍数是20倍，利用RW可以调节扬声器的量。R和 C1组成的串联网络用于进行相位补偿。 +u - C2 + 250μF C1 0.05μF R1 10Ω RW 10kΩ ui UCC LM386N4(8) 5 1 8 4 6 3 2 7 UCC UOUT IN+ GAIN IN- GAIN BYPASS 图5-31 LM386的最少元件用法 GND 2. LM386的最大增益用法，引脚1和8交流通路短路，放大倍数为200倍。C5是电源去耦电容，该电容可以去掉电源的高频成分。C4是旁路电容，由于放大倍数为200倍，所以当UCC=16V、RL=32Ω、Pom=1W时，输入电压的有效值为28.3mV。 C5 0.1μF C3 + 10μF C4 + 10μF + u0 - C2 + 250μF C1 0.05μF R1 10Ω RW 10KΩ ui UCC LM386N4(8) 5 1 8 4 6 3 2 7 UCC UOUT IN+ GAIN IN- GAIN BYPASS 图5-32 LM386的最大增益用法 GND 傻瓜1006 1 2 3 4 5 470μF 10μF 12V 8Ω RP 50kΩ 2. “傻瓜”型集成功率放大电路 1006组成功率放大电路 5.7 绝缘栅型场效应管 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 5.7.1 绝缘栅场效应管 漏极D 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 (1) N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底 高掺杂N区 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS = 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道 在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 (2) N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS