- 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
基于界面理论的发光器件特性调控技doc
【项目名称】 基于界面理论的发光器件特性调控技术
【主要完成人】
许并社(太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室)
贾虎生(太原理工大学材料科学与工程学院),
王 华(太原理工大学新材料工程技术研究中心)
梁 建(太原理工大学材料科学与工程学院,
山西飞虹微纳米光电科技有限公司)
马淑芳(太原理工大学材料科学与工程学院,
山西飞虹激光科技有限公司)
刘旭光(太原理工大学 化学化工学院)
李天保(太原理工大学材料科学与工程学院,
山西飞虹微纳米光电科技有限公司)
王智勇(北京工业大学 激光工程研究院
飞虹激光科技有限公司(北京))
伍永安(山西乐百利特科技责任有限公司)
【主要完成单位】
太原理工大学
山西飞虹激光科技有限公司
山西飞虹微纳米光电科技有限公司
北京工业大学
山西乐百利特科技责任有限公司
【项目简介】
半导体激光二极管(LD)和发光二极管(LED)等新型光电材料与器件已成为国防工业、新兴产业和低碳经济发展的重大需求。但其核心技术一直被发达国家所垄断。所以,研究LD、LED界面性质与发光性质之间的关系可抢占核心技术战略制高点,具有超前意义。本研究基于界面性质与光电性能之间的关系规律,发明了高功率LD、大功率长寿命白光LED外延片、芯片与器件制备新技术,规模化生产了LD、LED系列产品。
一、发明了制备高功率GaAs基LD外延片及其芯片的新技术
1. 发明了具有分别限制、非对称波导、应变量子阱等特征的LD外延结构。
2.发明了制备高功率LD外延片的界面插层新技术:①采用Al组分渐变和变化Ⅴ/ III元素比的方法,在GaAs(缓冲层)/AlGaAs(n-阻挡层)界面、AlGaAs(p-阻挡层)/GaAs(表面层)界面之间,插入应力减缓层,缓冲了界面应力,减少了缺陷;②在InGaAs(阱)/GaAs(垒)界面处插入低In超薄InGaAs层,减小界面原子失配,获得了高质量量子阱;③在GaAs(垒)/P-AlGaAs(波导层)界面插入隔离层;④采用低温、超低Ⅴ/III元素比、C/Zn共掺的外延工艺,在AlGaAs表面覆盖超高掺杂浓度(E+20级)P-GaAs层,获得了低电阻的欧姆接触界面。
3.发明了提高LD芯片出光效率腔面处理的新材料和新技术:①在LD芯片解理腔面上制备ZnSe基钝化膜,在其上面再制备多周期Al2O3+Si高反膜、在出光腔面上制备Al2O3/ZnSe的增透膜;②在腔面上部制备阻挡电子注入层(非注入端面镀膜),减少了端面光学损伤。
二、发明了制备GaN基大功率长寿命白光LED的新材料和新技术
1. 发明了制备大功率白光LED用外延片的界面插层新技术:①在蓝宝石衬底/n-GaN层之间插入特定形貌的AlN层,减少了位错;②在n-GaN/有源区之间,引入InGaN/GaN超晶格层,减少了位错到达有源区的数量;③在量子阱的InGaN/GaN异质结界面处,插入低In或渐变组分的InGaN过渡层,抑制了压电极化影响;④在p-GaN/ITO全反射界面堆栈银纳米粒子或银光栅层新技术。
2. 发明了“生长/中断/稳定”间歇式生长新工艺,获得了陡峭的InGaN/GaN异质界面。
3. 发明了制备自组装纳米氧化铟锌透明导电层、Ni纳米颗粒光反射层的新技术。
4. 发明了陶瓷/金属复合散热基板和金属共晶焊新材料及制备新技术,获得了高导热、低电阻的欧姆接触界面。
5. 发明了白光LED用高效光电转换荧光粉及其制备新技术。
三、产业化实施
参与制定4部省级标准和6部企业标准;科研成果已在山西飞虹等企业实现了规模化生产,年产值超过12亿元。
四、形成了较完整的知识产权体系
1.授权中国发明专利20项,实用新型专利 13 项,申请中专利12 项;
2.获省部级科技发明一等奖1项、二等奖1项;
3.获省部级鉴定6项。
【授权专利】
许并社, 翟雷应, 梁 建, 贾虎生, 刘旭光, 郝海涛, 李春华. 一种高纯度氮化镓纳米线的制备方法. 太原理工大学.发明专利, ZL 200510048197.7, 2007.06.06.
许并社, 李春华, 梁 建, 翟雷应, 郝海涛, 刘光涣, 王非, 杨冬, 马淑芳. 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法. 太原理工大学. 发明专利,ZL200510048111.0,2008.05.07.
许并社, 梁 建,马淑芳, 郭普庆,赵君夫,黄 平, 王 玉. 一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法. 太原理工大学.发明专利,ZL200810079375.6, 2011.08.24.
王智勇, 曹银花, 刘友强, 许并社,史元魁,陈玉士, 王有顺. 用于匀化半导体激光器阵列光束质量的光学元件和系统发明专利 .山西飞虹激光科技有限公司,北京工业大学,发明专 利.ZL201110262648
您可能关注的文档
- 同班分层学习.ppt
- 名称 头城国中.doc
- 后商务活动.ppt
- 同步辐射软X射线应用进展.ppt
- 吐鲁番沙漠植物园建设规划.doc
- 向上级汇报工作副标题.doc
- 向廖总汇报 中国石油大学华东教务处.ppt
- 后里乡土调查.ppt
- 向量分析与场论II.doc
- 名古屋义大利村.ppt
- 江苏省灌云高级中学2023-2024学年高三上学期第一次月考地理试题含答案.docx
- 备战2024年高考物理一轮重难点复习 第十三章 近代物理.docx
- 江苏省高邮市一中2021-2022学年高三上学期第一次月考语文试题(原卷版).docx
- 江苏省华罗庚中学2023-2024学年高三上学期12月阶段检测数学试卷含答案.docx
- 江苏省海门中学2023-2024学年高三上学期第一次调研考试地理试题及答案.docx
- 备战2024年高考物理一轮重难点复习 第九章 恒定电流.docx
- 江苏省高邮市2023-2024学年高三下学期3月学情调研数学试题含答案.docx
- 备战2024年高考物理一轮重难点复习 实验十一:探究影响感应电流方向的因素.docx
- 备战2024年高考物理一轮重难点复习 实验三:验证平行四边形定则.docx
- 备战2024年高考物理一轮重难点复习 第十四章 光.docx
文档评论(0)