第4章可编程逻辑器件 南开大学电子信息实验教学中心.doc

第4章 可编程逻辑器件的应用及系统设计（二） 在电子应用系统中，信息的采集、传输、处理、存储和输出等功能都需要以强大的硬件作支撑。可编程逻辑器件以其优越的性能和很高的性价比已被广大设计者普遍采用。本章通过介绍可编程逻辑器件GAL的应用及系统设计实践，启发学生再学习和再思考，使学生在电子信息系统的设计和PLD应用方面得到基本的训练。 4.1 实验目的 1．学习和了解可编程逻辑器件GAL的结构、原理，合理使用GAL器件。 2．学习和掌握硬件描述语言，学会用硬件描述语言编写源程序。 3．通过实例，学习和掌握GAL的应用及系统设计。 4.2 实验系统组成及工作原理 4.2.1 GAL器件原理及相关技术 1986年以来，通用可编程逻辑器件（GAL）几乎占据整个可编程逻辑器件（PLD）市场。GAL以其高性能、高可靠性、可擦除及输出逻辑结构可组态的特性，受到了广大用户的认可和青睐。就发展过程而言，GAL是在其它PLD器件的基础上发展起来，可以说，直至目前它仍是较理想的PLD逻辑芯片。GAL器件具有以下特点： ● GAL芯片是采用电可擦COMS（COMS，：Electrically Erasable）工艺制造的，提供了最大程度的可测试功能以及生产工艺要求，它的可随时擦除性能，适合于样机的研制。 ● GAL芯片的速度不低于任何其它TTL可编程逻辑芯片的速度。 ● GAL芯片具有CMOS低功耗特性。 ● GAL芯片具有输出逻辑宏单元（OLMC：Output Logic Micro Cell），使得使用者能够按需要对输出进行组态。 由于GAL芯片兼备以上功能，因此在某些应用场合它将取代TTL/74HC组合逻辑电路，取代低密度门阵列和所有其他可编程逻辑芯片。GAL芯片非常有利于降低系统造价，减小成品体积和功耗。它还具有更高的可靠性，并能大大简化系统设计。 1. GAL器件的制备工艺及其特点 可编程逻辑器件的制造工艺，经历了由双极型、UVCMOS（ultraviolet Erasable）发展到COMS。GAL器件采用COMS，使它的各项性能领先于其它同类芯片。 COMS技术吸收了EPROM的浮栅技术，并与COMS静态RAM相结合，使得GAL器件能长期保存数据。COMS工艺的最大优点是它的可测试功能。这是因为它的存储单元是电可擦（）单元，因此器件出厂之前都能被完全测试，制造厂家利用非常快的擦除功能（50ms），可对各种器件反复编程和擦除，以直接测试包括AC、DC功能在内的各种特性，保证程序和功能100%地满足用户要求。 相比之下，双极型工艺和UVCOMS工艺在这方面就有很大的限制。 双极型工艺的一个致命弱点是其编程的一次性。它是靠金属熔丝的“连”或“断”来保存数据的，熔丝一旦被烧断，即不可能再恢复，因此对此类器件是不能进行完全测试的。厂家只能依赖测试行、测试列（“假想”陈列），对器件的性能进行相关推断和模拟。由于对它不能进行完全测试，可能会引起编程在某个不良熔丝上失效，因此不能保证其质量100%的可靠，其典型的实际编程失效率为1~3%。 UVCMOS单元是紫外线可擦除的EPROM单元。虽然该类器件可以被有效地擦除，但这种有效性却被所费时间和必须由紫外线照射的过程所削弱。由于时间因素（紫外线擦除需10分钟），厂家对器件的测试和擦除只能进行一次。这样，单元耐用性的测试，需对多种模式编程才能进行的AC和DC指标的测试，对这类器件而言，几乎是不可能的。因此，任何厂家都不能保证其产品100%的编程有效率和100%的功能可靠性。另外，这种器件必须封装在昂贵的带窗口的外壳内，以使用户能够擦除。由于价格方面的原因，厂家往往提供给用户不带窗口外壳的器件。因其不能被擦除，所以封装后不能完全测试。当然用户也无法擦除，这就大大地降低了用户对这种产品的需求量。 从以上三种工艺的测试功能来看，在样机研制过程中GAL器件是最理想的选择器件。它给用户提供了即时可擦功能，使设计的进行可随时修改而不必浪费器件和等待时间。同时GAL器件的寿命能保证至少100次的编程有效性。 这几种工艺性能的比较，可参看表4-1。 表4-1 工艺性能比较 性能 工艺 测试性能 速 度 功 耗 双极型 不可实测 高 大 UVCMOS 可实测 慢 小 COMS 可实测 高 小 在很多系统的开发和制造过程中，日益大量使用PLD器件。特别在产品开发的早期阶段，往往要修改设计，这就使得对开发过程的记录管理复杂化了。另外，当建立了生产流程之后，根据有关的加工信息来“标定”每个PLD也是很重要的。这在收到用户反馈信息时便于追溯加工历史，有助于迅速查清产品缺陷的细节原因，从而及时解决。 GAL器件提供了电子标签（ES）这个新技术，从而使得资料管理和产品跟踪都简单化了