gaas mosfet射频开关器件与电路的研究 word格式.docxVIP

摘要随着当今通讯科技的飞速发展，以移动通信、雷达、卫星通信等为代表的无线通信系统对射频开关的开关速度、功率容量、开关损耗等各方面性能均提出了不断提高的新要求。在常用的射频开关器件中，固态FET射频开关以其出色的性能和极高的集成度广泛应用于移动无线通信中，其中又以Si基SOI器件和GaAs 基HEMT器件应用最为普遍。本文以为GaAsMOSFET 核心内容，开展了以下方面的研究：1. 本文介绍了GaAs器件的基础知识，对GaAsMOSFET结构与常见HEMT 结构进行了比较。同时对GaAsMOS 结构的沉积前退火（PDA）进行了研究，在550℃氧气氛围退火条件下得到一个相对最优的介质层厚度，并讨论了影响GaAs MOS 退火特性的因素。进一步探究了生长中采用臭氧处理对InP/Al2O3界面的影响。2. 本文介绍了射频开关的基础知识，同时基于中国科学院微电子研究所的GaAsMOSFET 工艺，制作了适合开关应用的栅长0.5μmInGaP/InGaAsMOSFET 射频开关器件，并对其进行了直流特性以及开关特性的测试和表征。根据测试结果进行了小信号建模，并利用该模型设计了一款单刀四掷的射频开关电路。关键词：InGaP/InGaAs MOSFET射频开关PDAAbstractWiththedevelopmentofcommunicationtechniques,higherperformanceofon/off speed,powerhandlingandinsertionlossisrequiredforradio-frequency(RF)switches intheapplicationofmobilecommunications,radarandsatellitecommunications. AmongcommonRFswitchdevices,solidfieldeffecttransistor(FET)standsoutforits excellentperformanceandhighintegratedlevel,whileSibasedsilicon-on-insulator (SOI)devicesandGaAsbasedhighmobilityelectronictransistor(HEMT)devicesare mostwidelyusedinsolidFETs.CenteringinGaAsMOSFET,researchesshownbelow areconducted in this thesis.BasisofGaAsdeviceswasintroduced.ComparisonofGaAsMOSFETand GaAsHEMTwasdoneinthispaper.Researchwasalsodoneintheconditionforpost depositionannealing(PDA)inoxygenambientforGaAsMOSstructure,anda relativelyoptimumthicknessofdielectriclayerwasgiventogetherwiththediscussion ofthe factors affectingGaAs MOS annealingproperty.FundamentalsofRFswitcheswereintroduced.AnInGaP/InGaAsMOSFET applyingonRFswitcheswasfabricatedbasedontheInGaP/InGaAsMOSFETs fabrication processwith its gatelength of 0.5μm.DC and S parameter measurement was donetoshowitsRF switchcharacters.Accordingtotheresultofmeasurements,aSP4T switch was designed.Keywords: InGaP/InGaAs MOSFETRFswitchPDA目录摘要......................................................................................................................................................1第一章绪论......................................................................................................