gan基niau肖特基接触模拟和实验研究 word格式.docxVIP

ABSTRACTNi/Au-n-GaN and the Ni/Au-AlGaN/GaN indifferenttemperatures.We alsoexplainthemeaningofthetestedC-Vcurves,andaccordingtothiscurves,wecalculatethedistributingofthe2DEG.Keywords:GaN,Schottkycontact,barrierhigh,idealfactor目录目录第一章绪论.........................................................11.1 GaN基材料的简介11.2 GaN基肖特基接触研究进展21.2.1 GaN 基肖特基接触的研究现状21.2.2 GaN 肖特基接触在光电探测器领域的应用31.3本论文主要内容及其研究意义.......................................3第二章金属半导体接触的基本理论......................................52.1金属和半导体接触的基本理论.......................................52.1.1 金属和半导体的功函数......................................................................................52.1.2 接触电势差..........................................................................................................62.1.3 表面态对接触势垒的影响..................................................................................62.2金属-半导体接触分类..............................................72.2.1 欧姆接触..............................................................................................................72.2.2 肖特基接触..........................................................................................................82.3肖特基接触的势垒.................................................82.4本章小结........................................................11第三章Ni/Au-GaN肖特基接触的仿真研究123.1仿真的目的和意义................................................123.2仿真采用的器件结构以及仿真理论模型的选择........................123.2.1 仿真采用的器件结构........................................................................................123.3 仿真的结果及其分析：...........................................143.3.1 不同掺杂浓度的GaN体材料肖特基接触特性仿真结果分析143.3.2 同一掺杂浓度不同温度GaN肖特基器件I-V特性仿真结果分析15目录3.3.3 同一掺杂浓度不同界面层厚度GaN肖特基器件I-V特性仿真结果分析...163.4针对仿真数据提出优化肖特基器件的性能的方法......................173.5本章小结........................................................17 第四章Ni/Au-GaN肖特基接触实验研究..................................194.1器件结构和工艺过程..............................................194.2数据处理方法....................................................215.3 本章