gan衬底上复合缓冲层诱导bst类钙钛矿结构氧化物薄膜外延生长的分析 word格式.docxVIP

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。签名：日期：年月日关于论文使用授权的说明本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论文在解密后应遵守此规定）签名：导师签名：日期：年月日摘要摘要以BST为代表的钙钛矿结构(ABO3)的多元氧化物是当今最热门的电子材料之一。作为微波及射频电路中无源器件的关键材料，它集铁电、介电等多种功能性能与一身。将这种功能材料与以GaN为代表的第三代半导体材料通过固态薄膜的形式集成，并利用这种集成的一体化及耦合特性，可以实现有源-无源的多功能器件集成化和模块化，增强系统功能，提高集成度。然而，由于两者在生长机制及晶体结构上存在巨大的差异，不易实现高质量的外延生长；同时，由于钙钛矿氧化物材料的各向异性，在GaN衬底上实现氧化物薄膜的取向控制尤为重要。因此，探索GaN衬底上钙钛矿结构的氧化物薄膜的生长行为并且实现取向控制对多功能集成元器件有十分重要的指导意义。本论文正是针对上述问题，以立方钙钛矿结构的SrTiO3（STO）主要的研究对象，利用TiO2、YSZ、CeO2以及YBCO等氧化物材料作为缓冲层，实现了GaN 衬底上外延高质量的STO薄膜以及对其进行取向控制，分别得到了[001]、[110]、[111]三种典型取向的STO薄膜。并且，利用相同工艺实现了这三种取向的BST 薄膜与GaN集成一体化。首先，采用脉冲激光沉积法，研究了沉积温度、氧分压和激光能量密度对薄膜生长相与取向的影响，得到了a轴取向的萤石相YSZ及CeO2薄膜的择优工艺条件，达到取向生长可控。其次，通过复合缓冲层的诱导使STO薄膜实现c轴取向及[110]取向的外延生长，并且探求了STO薄膜在复合缓冲层上生长动力学模型。其中，利用YSZ/TiO2 缓冲层诱导生长了(110)取向的STO薄膜；利用YBCO作为模板层，CeO2/YSZ 为缓冲层，TiO2为种子层的复合结构外延生长了具有面内旋转畴结构的单一c轴取向SrTiO3薄膜，并确定外延关系为STO(200) [110]//YBCO(001)[110]//CeO2(200) [010]//YSZ(200)[010]//GaN(0001)[11-20]。并且，发现STO 薄膜在萤石结构上生长时，其生长行为由晶格应力及离子键合作用两者共同决定。最后，通过复合缓冲层有效的诱导BST铁电薄膜沿三种典型取向生长，实现了BST/GaN的集成，并对原型器件的电学性能进行了探索。关键词：复合缓冲层，诱导生长，BST 类材料，GaNABSTRACTABSTRACTPervoskitecomplexoxidematerialssuchasBST-seriesmaterialsareoneofthe mostimportantfunctionalmaterials.Suchmaterialisthekeypartofpassivedevicesin microwaveandRFcircuitsduetoitsoutstandingmultifunctionalpropertiesin ferroelectric,dielectricfield.Theheterostructure,whichintegratedthepervoskitethin filmswithGaNsubstrate(asthethirdgenerationsemiconductor),canfulfillthe passive-activeintegrateddevices,leadingtothehighmultifunctionalperformanceand increasingthelevelofintegration.However,becauseofthelargedifferencebothin growthbehaviorandcrystalstructurebetweenthepervoskiteoxideandgalliumnitride material,itisdifficulttoobtaintheepitaxialthinfilms;Moreover,duetotheanisotropy propert