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结构及符号 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 结构图 它是以—块掺杂浓度较低的P型硅半导体作为衬底、利用扩散的方法在其上形成两个高掺杂的N+型区，同时在P型硅表面生成一层二氧化硅绝缘层。并用 金属导线引出三个电极，分别作为源极(S)、漏极(D)和栅极（G）。 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 S 源极 B 衬底 D 漏极 G 栅极 符号图 栅极 P型硅衬底 源极 漏极 衬底 结构图 注意：栅极是从二氧化硅表面引出的 在图形符号中，漏极和源极间的虚线表示增强型（即：UGS=0时，I=0），箭头方向表示P衬底指向N沟道。 工作原理 绝缘栅场效应管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。现在对N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理进行分析。 1.UGS=0时，没有导电沟道 当栅源短路(即栅源电压UGS=0时，源区(N+型)、衬底(P型)和漏区(N+型)形成两个背靠背约PN结，不管ED的极性如何，其中总有一个PN结是反偏。如果源极S与衬底相连接地，漏极接电源的正极，那么漏极与衬底之间的PN结果也是反偏的，所以漏源之间没有形成导电沟道，因此漏极电流ID=0(相当于漏源之间的电阻很大)。 2.UGSUGS（th）时，出现N沟道 当栅源之间加反向电压(栅极接正极，源极接负极)，则栅极(铝层