半导体器件物理Chapter4_集成电路制造工艺教程.pptVIP

图形转移： –光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 –刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： –离子注入 退火 –扩散 制膜： –氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 –CVD：APCVD、LPCVD、PECVD –PVD：蒸发、溅射 工艺小结 工艺集成：NMOS晶体管热扩散法制备工艺流程 集成电路制造工艺可分为光刻、掺杂、氧化、淀积四大类，每一类各包括什么工艺技术？ 光刻的工艺步骤是什么？ 思考题 第四章集成电路制造工艺 芯片制造过程 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到衬底上。 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。 制膜：制作各种材料的薄膜。 基本步骤： 硅片准备、 外延、 氧化、 掺杂、 淀积、 刻蚀、 光刻 硅片准备 光刻 （Lithography） 图形转移：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上。 光刻的基本原理：利用光敏抗蚀涂层（光刻胶）发生光化学反应，结合刻蚀方法在各种薄膜上生成合乎要求的图形，以实现、形成金属电极和布线或表面钝化的目的。 光刻工艺流程 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 –光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 –光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光