半导体器件物理教学教程徐振邦半导体器件物理5单元演示文稿.pptVIP

5.3 MOS型晶体管的输出伏安特性与直流参数 5.3.5 MOS型晶体管的温度特性与栅保护 1. 表面载流子迁移率μ随温度T的变化 随着温度T的上升，迁移率μ呈现下降趋势。实验发现，迁移率μ与温度T之间存在如下变化趋势关系，μ∝T-3/2。迁移率下降尽管不利于漏极电流容量，但却有利于MOS晶体管的温度稳定性。 2. 阈值电压VT随温度T的变化 以nMOS管为例 综合结果，当T↑→VT↓。 5.3 MOS型晶体管的输出伏安特性与直流参数 MOS晶体管输入二极管保护 3. MOS型晶体管的栅保护 在MOS型晶体管中，栅电极与沟道之间仅隔着一层很薄的栅氧化层，厚度tox通常从几十埃至几百埃不等，这种结构与一个普通电容器的结构类似。当MOS管的栅压VGS超过一定值时，就会引起栅氧化层的击穿，从而造成器件的永久失效。由于通常MOS管的栅输入电容很小，因此，只需感应极小的电荷量QM，就可能产生很高的栅压，从而使栅介质击穿。例如一支MOS晶体管的栅电容仅为2pF，那么只需感应1.5×10-10库仑的电荷，就可产生75V的高压，这对MOS管来讲是很危险的，这就是所谓的ESD（ESD——Electro-Static discharge，即静电释放）问题。图示就是输入二极管保护 。 5.4 MOS型晶体管频率特性与交流小信号参数 5.4.1 MOS型晶体管的交流小信号等效电路 (a) 实测 nMO