半导体器件物理教学教程徐振邦半导体器件物理六单元演示文稿.pptVIP

微电子技术专业 1. 达林顿管电路连接 将两个电力晶体管以适当的方式集成在一起，就形成了具有达林顿结构的达林顿晶体管,采用达林顿结构组成的复合晶体管有很大的放大倍数，解决了电力晶体管放大倍数小的问题。 6.1 达林顿晶体管 2.达林顿管工作原理 6.1 达林顿晶体管 由上式可以看出，达林顿晶体管的电流放大倍数是T1和T2晶体管电流放大倍数的乘积加上T1和T2电流放大倍数之和。所以，采用达林顿结构可以得到很大的电流放大倍数。 6.1 达林顿晶体管 3.达林顿管电路结构与剖面图 6.2 功率MOS型晶体管 6.2.1 功率MOS型晶体管的种类 1. VMOSFET和UMOSFET 6.2 功率MOS型晶体管 2.LDMOSFET LDMOSFET结构是用平面工艺双扩散法或双离子注入法制作的MOSFET器件，如图所示。首先是在N-硅片或N-外延片上进行P型硼扩散或注入硼离子形成沟道区，然后用磷扩散或磷注入形成N+的漏区和源区。沟道长度是通过沟道区和N+源区的结深差形成的，由于通过扩散工艺可以精确控制两个扩散结的结深差，从而可以不需要昂贵的精确光刻，也可以获得精确的沟道长度。 6.2 功率MOS型晶体管 3.VDMOSFET VDMOSFET的单元剖面结构图，它是采用平面工艺制作的，用多晶硅做掩膜，采用自对准工艺，形成N+源极。它