半导体器件物理七节.pptVIP

7.3 调制掺杂场效应晶体管 传统MODFET结构 7.3.1 MODFET的基本原理 MODFET为异质结构的场效应器件 相关公式 增强型MODFET的能带图 7.3.2 电流-电压特性 MODFET的电流-电压特性可利用类似MOSFET的渐变沟道近似法来求得。 线性区 饱和区 对高速工作状态而言，载流子速度达到饱和，此时饱和区电流、跨导和截止频率： 作业： P243 1、7、9 比较MOSFET和MESFET两种器件？ 比较PN结二极管和肖特基势垒二极管两种器件？ 第7章MESFET及相关器件 7.1 金属-半导体接触 7.2 金半场效应晶体管（MESFET） 7.3 调制掺杂效应晶体管 本章主题 整流性金半接触及电流电压特性 欧姆性金半接触及特定接触电阻 MESFET及其高频表现 MODFET及二维电子气 MOSFET、MESFET、MODFET比较 7.1 金属-半导体接触 7.1.1 基本特性 金属与n型，理想情况，势垒高度为金属功函数与电子亲和力之差： 金属与p型，势垒高度为： 金属和n半导体接触能带图(WnWs) （a）接触前 （b）间隙很大 （c）紧密接触 （d）忽略间隙 对已知半导体与任一金属而言，在n型和p型衬底上势垒高