半导体物理学简明教程陈治明3单元非热平衡状态下的半导体教程.pptVIP

PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * * * * * * 1、稳态光电导及其弛豫过程 1）、稳态光电导 利用吸收系数?可将光生载流子对的产生率表示为 β为量子产额。由于光子还会因其他原因被吸收，如形成激子等，因而β一般＜1。 稳态光生电子、空穴密度分别为 从而稳态光电导为 注入过程中光生载流子密度随时间的变化 2)、光电导的驰豫过程 光照下光电导逐渐上升和光照停止后光电导逐渐下降的现象，称为光电导的弛豫现象。设?为驰豫时间 (1)小注入条件下的上升过程 由 得解 当t＞＞? 时达到稳态，?nS=?I?? (2)小注入条件下的下降过程 光照停止后，G＝0，描述光生载流子密度下降过程的方程： 其解： 2)、光电导的驰豫过程 小注入情况下，光电导驰豫过程的上升和下降函数分别为： (3)大注入情况 在光注入很强以至△n n0和p0，载流子寿命? 不再是定值,而是△n的函数，即? ＝(r?n)?1，这时复合率变为r(△n)2 驰豫过程中，?n随时间变化的方程及其解分别变为： 上升(产生)： 下降(复合)： ∵大注入下?＝1/(r?n)，∴?是光照强度和时间的函数。 2、光电导灵敏度与光电导增益 光电导灵敏度定义为单位光照度所能产生的稳态光电导△?S 一定光照 △?S (△ns=?? I?) 越大 光电导灵敏度越高 弛豫时间长 光敏电阻反应慢 对于高频光信号，弛豫时间必须足够短。 光电导灵敏度也是器件结构的函数。用“光电导增益”来评价器件结构的光电导灵敏度。 1、 影响光电导灵敏度的主要因素 2）光电导增益因子 因此，定义额外载流子的寿命与其渡越时间之比为光电导增益因子g，用来反映器件结构对灵敏度的影响， 若使光生电子在两电极间的渡越时间?t小小于它的寿命?n ，则光敏电阻每吸收一个光子就会有许多个电子相继通过两个电极。因此，同种材料的光敏电阻，电极间距越短，其灵敏度越高 。 因此，用寿命长、迁移率高的材料制造光敏电阻，在电极间距短的情况下，其光电导增益g较大。 3、复合和陷阱效应对光电导的影响 1)、少子陷阱的作用 n型 空穴俘获率下降 电子—空穴对复合率下降 光电导灵敏度增大 延长光生电子的寿命 少数载流子陷阱有提高稳态光电导灵敏度的作用 复合中心 陷阱中心俘获光生空穴 光敏电阻常常使用高阻材料，其n0或p0很小，使用过程中易进入大注入状态。同时，陷阱杂质浓度(1×1015~1×1019cm-3)也往往比n0或p0大很多倍，因此陷阱效应影响很大。 2)、多数载流子陷阱的作用 高度补偿的高阻材料,杂质对多数载流子产生十分显著的陷阱作用 将额外载流子积累到可与导带和价带中的额外载流子数相比拟的能级才被称之为陷阱.因而在有多数载流子陷阱存在的n型半导体中，绝大多数光生电子被陷在陷阱杂质之中，使光电导驰豫时间明显延长。 另一方面，由于光生电子大部分被陷阱捕获，导带中的自由光生电子就有更多与光生空穴复合的机会，而陷阱释放被陷电子需要一定时间，因此△nS将比没有多数载流子陷阱时小，从而降低了光电导的灵敏度。 4、光电导谱 1）本征光电导的光谱分布 光谱响应：光电导灵敏度（或光电导相对值??/?0）随辐照波长的变化关系，分等量子谱和等能量谱。 光电导的长波限：光电导峰值1/2处对应的波长 因为光电导是光子吸收的直接效应，所以测量光电导时采用“等量子”光照强度较合适 2）杂质光电导的光谱分布 杂质电离能远小于Eg ，用于远红外探测器。例如Ge探测器,其适用波长可以从10?m延伸到120?m。 光照可使束缚于杂质能级上的电子或空穴电离,产生杂质光电导。 和本征光电导相比，杂质光电导十分微弱。同时，涉及的能量都在红外光范围，激发光实际上不可能很强。因此，杂质光电导一般都在低温下测试和使用。 3.6 半导体的光电导和光致发光 3.6.1 半导体的光电导 1、稳态光电导及其弛豫过程 2、光电导灵敏度与光电导增益 3、复合和陷阱效应对光电导的影响 4、光电导谱 3.6.2 半导体的光致发光 1、本征辐射复合（带间复合发光） 2、通过杂质的辐射复合 3、激子复合发光 3.6.2 半导体的光致发光 1、本征辐射复合(带间复合发光) 导带电子跃迁到价带与空穴复合并伴随发射光子的过程称为本征辐射复合。 对于直接禁带半导体,本征辐射复合为直接复合，全过程只涉及一对电子空穴和一个光子，辐射效率较高。 对于间接禁带半导体，本征辐射复合是一种伴随着声子发射的间接复合过程，其发生几率较小 一个掺Cd的GaAs样品在三个不同温度下测到的光致发光谱图中，标注BB（band to band）的即是其带间复合发光峰。 掺Cd砷化镓