半导体物理学简明教程教学教程陈治明2单元半导体中的载流子及其输运性质2011演示文稿.pptVIP

西安理工大学电子工程系　马剑平 * 第二章 半导体中的载流子及其输运性质 2.1 载流子的漂移运动与半导体的电导率 2.2 热平衡状态下的载流子统计 2.3 载流子密度对杂质和温度的依赖性 2.4 载流子迁移率 2.5 载流子散射及其对迁移率的影响 2.6 半导体的电阻率及其与掺杂密度和温度的关系 2.7 强电场中的载流子输运 2.8 电导的统计理论 2.9 霍尔效应 2.10 半导体的热导率 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2.7 强电场中的载流子输运 2.7.1 强电场效应 2.7.2 热电子与速度饱和 2.7.3 负微分迁移率 2.7.4 耿氏效应及其应用 2.7.5 强电场下的速度过冲和准弹道输运 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2.7.1 强电场效应 vd (cm/s) 105 106 107 2x107 102 103 104 105 E (V/cm) GaAs Si electrons 1、强场下偏离欧姆定律 速度饱和效应 在E 103V/cm之后，硅中电子和空穴的漂移速度逐渐减缓,随电场的变化率并最终不再变化而趋于饱和。 负微分迁移率效应 漂移速度在随着电场强度的继续升高反而下降，出现所谓负微分迁移率现象. 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2.7.2、热电子与速度饱和 强场下欧姆定律发生偏离的原因:载流子与晶格振动散射时的能量交换过程 有电场存在时,载流子从电场中获得能量,随后又以声子的形式将能量传给晶格,即主要和声学波散射.达到稳定状态时,载流子与晶格系统处于热平衡状态,具有相同的热力学温度。 在强场情况下,载流子从电场中获得的能量很多,在与晶格散射时,平均自由时间缩短,因而迁移率降低.由于载流子的平均能量比热平衡状态时的大,载流子不再与晶格系统保持热平衡,此时的载流子称为热载流子.但是,当场强进一步增强,载流子的能量高到散射时可以发射光学声子,载流子从电场中获得的能量大部分又消失,平均漂移速度达到饱和。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 1 、载流子的温度与迁移率 将电子迁移率表示成电子温度的函数： 当Te＝Tl，则μ＝μ0；若强电场使 TeTl，则μμ0 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2、热载流子效应 强电场使电子平均速度升高，电离杂质对热载流子的散射作用减弱，而晶格振动的散射作用增强。 对发射声学声子的晶格散射，电子温度与晶格温度之比同外加电场的关系为 1）声学波的散射 漂移速度与电场的关系 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2）光学波的散射 电子在单位时间内通过发射光学声子而损失的能量 稳态下，单位时间内电子损失的能量与从电场获取的能量相等 将 ?d 改记为 ?sat，是因为它不随电场变化的饱和特性 将?d=q?E/m*代入上式，即可得 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2.7.3 负微分迁移率 一、砷化镓的能带特征 二、强电场下电子的谷间转移 三、负微分迁移率材料的能带特征 西安理工大学电子工程系　马剑平 * ?EC = 0.29 eV m1* = 0.067 m0 m2* = 0.550 m0 NC2 / NC1 = 94(?) 23.5 μ1 = 6000 ~ 8000 cm2/(V?s) μ2 = 920 cm2 /(V?s) 。 m2* / m1* = 8.2 一、 砷化镓能带的特征 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 二、强电场下电子的谷间转移 ΔE n2 n1 Δk Valley 1 Γ L k 111 0.49eV E Valley 2 vd IE1I IETI IEI IE2I μ1IE1I μ2IE2I 2x105V/cm 3.2x104V/cm n2n1 n1n2 发生负微分迁移率效应的条件 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 三、 负微分迁移率材料的能带特征 (1) 存在导带电子的子能谷； (2) 子能谷与主能谷的能量差小于禁带宽度而远大于kT； (3) 电子在子能谷中的有效质量大于其主能谷中的有效质量，因而子能谷底的有效态密度较高，迁移率较低。 这三个特征（或称条件）对负微分电导现象的发生一个也不能少。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2.7.4 耿氏效应及其应用 一、耿氏效应?一种体效应 二、耿氏效应的物理解释 1、负微分迁移率导致高场畴的形成 2、高场畴的漂移、消失和新畴的产生 三、耿氏器件的参数估算 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 一、耿氏效应(Gunn effect) ?一种体效应 1963年，耿氏发现在n型砷化镓两端电极上加以电压，当半导体内电场超过3x10 3 V/cm时,半导体内的电流便以很高的频率振荡，振荡频率约为0.