半导体物理学简明教程陈治明4单元pn结教程.pptVIP

* * * * * * 1、自发辐射和受激辐射 与激光发射有关的跃迁过程? 吸收、自发辐射和受激辐射。 h?12=E2-E1 不受外界因素的作用，原子自发地从激发态返回基态时伴随发生的光子发射过程。 自发辐射中所有电子的跃迁都是随机的，所发射的光子虽然具有相等的能量h?12，但它们的相位和传播方向各不相同 1）自发辐射： 2）受激辐射 受激辐射中发射光子的频率、位相、方向和偏振态等全部特性都与入射光子完全相同。如果激励光原本就是由能级E2到E1的电子跃迁过程产生的，则一个受激辐射过程同时发射两个同频率、同相位、同方向的光子。 所谓受激辐射，就是电子在光辐射的激励下从激发态向基态跃迁的辐射过程 受激辐射 2、受激辐射的必要条件 入射频率为?12的光子，既可使E1上的电子激发到高能级E2,也可激励E2上的电子跃迁回E1而产生受激辐射。 一般情况下，低能级E1上的电子密度远高于高能级E2的电子密度；但若处在E2上的电子密度高于E1上的电子密度，则该系统在频率为?12的光子流照射下，受激辐射将超过光的吸收。称此反常状态为分布反转。要产生激光，必须使系统处于分布反转状态。 1）分布反转 2）、半导体中形成分布反转的条件 1）T=0K时 在EFn?EFp范围，导带中占满电子，而价带却是空的。在这种分布反转情况下，若注入光子能量h? 满足关系 就会引起导带电子向价带跃迁，产生受激辐射。 导带底比价带顶电子密度高的状态即半导体的分布反转状态。 用能量大于Eg的光，可将价带顶一定能量范围内的电子全部转移到导带底，将导带底一定能量范围内的状态全部填满。两带中电子的最高填充能级即空穴准费米能级EFp和电子的准费米能级EFn。 3、pn结激光器原理 要在半导体中实现分布反转，必须使其导带保持高密度的电子，价带保持高密度的空穴。这种反常分布需要由外界输入能量来维持。跟水泵提升水平面一样，靠外力将电子不断激发并维持在高能级上的过程被称为“泵浦”。半导体激光器一般采用p-n结正向注入的方式“泵浦”电子。 为了能够有效地通过注入式“泵浦”实现pn结的分布反转，其p区和n区都必须重掺杂至简并状态。 结型激光器能带图 1）、泵浦 2）、激光的产生 自发复合 自发辐射 发射的光子，相位方向各不相同 大部分立刻穿出有源区 小部分光子严格在p-n结平面内传播 引起其他电子—空穴对的受激辐射 产生更多能量相同的光子 受激辐射随着注入电流的增大而发展，并逐渐集中到p-n结平面内 这时辐射的单色性较好，强度也增大，但其位相仍然是杂乱的，因而还不是相干光 注入 用共振腔使之变成强度更大的单色相干光。 3） 共振腔 一定频率的受激辐射，在反射面间来回反射，形成两列相反方向传播的波相叠加，最后在共振腔内形成驻波。辐射在半导体中的波长?/n，受激辐射在共振腔内振荡的结果，只允许半波长整数倍正好等于共振腔长度的驻波存在 不符合这条件的波逐渐损耗，而满足上式的一系列特定波长的受激辐射在共振腔内保存下来，来回反射形成振荡。 p-n结激光器中，垂直于结面的两个严格平行的晶体解理面形成法布里—珀罗共振腔 （m取整数） 4）增益和阈值电流密度 辐射在共振腔内来回反射时，也有能量损耗。损耗机制主要包括载流子吸收、缺陷散射及端面透射损耗等。但注入电流使有源区内受激辐射不断增强，使之获得增益；损耗和增益的消长决定着最终能否有激光的发射. 用g和?分别表示单位长度内辐射强度的增益和吸收损耗，用I代表辐照强度，则 增益的大小取决于注入电流。电流增大到使增益等于全部损耗时，才升始有激光发射。增益等于损耗时的注入电流密度称为阈值电流密度JT，这时的增益为阈值增益gT ：损耗方程为 增益方程为 5）增益和损耗分别使辐照强度按指数规律增长或衰减 阈值条件：强度为I0的辐照在共振腔中经两个反射面的一次来回反射之后仍应等于I0。设共振腔长度为l，反射面反射率为R，阈值条件即 达到阈值条件时，须是 增益 腔内总损耗 损耗小，阈值增益系数 就小，阈值电流JT就会降低 受激辐射在共振腔内来回反射时，也会因吸收、散射及反射面透射等损耗机制而衰减。损耗和增益的消长决定着最终能否有激光的发射 。 端面透射损耗 6）激光发射必须满足的三个基本条件 阈值电流密度JT和阈值增益gT是两个重要参数。要使激光器有效工作，必须降低阈值，即减少各种损耗，使?小，R大。 因此，作为激光材料，必须选择完整性好，掺杂浓度适当的晶体；同时反射面尽可能达到光学平面，并使结面平整。 对广泛使用的GaAs激光器，一般掺杂浓度为1×1018cm-3，共振腔长度 l 约为1×10?2 cm。 综上