材料表面与界面06节.pptVIP

3.晶界的性能 不论界面原子结构还是化学组成都是材料界面不可缺少的信息，但并不直接与材料性质发生关系，只有界面电子结合状态才直接与材料界面诸性质相关。可以说，界面研究的本质和主要内容是研究界面电子能带结构。界面电子态通过电子波函数、能态密度和能谱的构成反映出来，这些参数决定了界面的电子发射、吸收特性、化学活性和催化特性。因此，通过界面电子结构的计算可以展示界面电子结构与强界面结合和弱界面结合、基体与强化相、母相与析出相增强增韧、特殊碳化物与再结晶晶粒长大、复相界面与加工工艺等性能和现象的关系。 在界面性能的研究中，界面细观力学的研究最为热门。 无论是用理论还是实验方法研究界面断裂力学问题的一个关键环节在于选定或者测定一个控制参量，使其能较为准确或近似地表达界面裂纹的强度，并以此为基础建立界面裂纹起裂破坏的扩展准则。同时，导电性、导光性、导热性等传输特性都与界面结合方式、界面结构、两相浸润性以及异质材料的表面官能团、原子分子间的相互作用相关。 四、界面缺陷与性能 由于半导体、激光、红外等科学技术的发展，高质量的近完整晶体大量地制备出来；但是晶体中的一些缺陷会严重影响由这些晶体材料制成的元件或器件的电、磁、光、声、热等物理性质。物态界面及表面是外部面缺陷，而晶界、相界及裂纹则属内部面缺陷。位错是晶体中一类重要的结构缺陷。 20世纪30年代Frenkel J提出计算金属理论切变强度的计算公式。然而，当时材料的实际强度远低于理论强度的问题多年困扰着材料研究者，由于缺乏清晰的物理图像和概念，以致长期未能给出有力的理论解释。1934年，Orowan、Polanyi 和 Taylor 分别独立提出了晶体中存在刃型位错，而使理论强度远高于实验值的矛盾得到解释。 位错理论的建立奠定了材料力学强度理论基础，带动了材料科学的进一步发展，具有划时代意义。连续模型和弹性应力场理论已经能完美地描述位错长程应力场问题，但尺寸为伯格斯矢量量级的位错芯区的局域效应，则尚待建立描述其微观机制的理论。现在，已经到了控制晶格缺陷给材料赋予新功能的时代。可以预期位错与杂质或微裂纹的复合效应及其对位错动力学及断裂行为的影响，可能具有电子效应背景，是探索微观结构与宏观物性相关机制的重要研究内容。 晶体材料的研究以金属材料和陶瓷材料为主，因其固有的物理性质，其原子结构成为材料研究的主体。至今，材料物性研究趋向于制备内部无缺陷的单晶材料。人们在证实了晶格缺陷存在的基础上，确立了控制缺陷的基本方法，成功地制备出单晶体。与此同时，随着测试技术的进步，可以很容易得到原子尺度的信息，成为研究这类晶格缺陷并使之快速发展的驱动力；特别是采用电子显微镜直接观察法，与其组分的动态观察研究方法，将成为研究晶格缺陷的主要方法。 杂质和偏聚效应敏感地影响着晶界能量，且与晶界“重位”度相关。由于晶界能量及晶界熵的实验测定相当困难，难以获得精确数据，因此，寻求理论计算是必要的。 晶界几何结构可以形象地以位错网络描述，即把两晶体看成充满整个空间的两相互穿插点阵，则O点是两晶体适配最好的点，而相邻两O点连线的中垂面是两晶体适配最差的区域。 一般只有小角晶界可用解析形式的连续介质理论处理，对于大角晶界，则位错芯部对晶界能量有重要贡献，致使以弹性应力场理论处理晶界问题受到限制。基于重位点阵模型的晶界原子学研究，发现晶界存在基体结构单元，并视基体结构类型而具有确定的晶体学特征；晶界偏聚效应、沿晶扩散及化学腐蚀等特性与晶界类型及晶界取向密切相关。 根据晶界结构单元分析晶界结构，并协调应用原子学模型研究和实验研究，构成了探索晶界结构微区电子效应以及晶界和位错与杂质复合效应以及晶界和位错与杂质复合效应的几何理论基础。晶界集合特征与形变孪晶及形变织构相关，具有控制形变模式的作用，敏感地影响着材料强度和韧性。 一般而言，体系原子结构、电子结构及其组分构成控制物性的基本因素，是材料科学中一个极为重要的研究方向。能量作为热力学和动力学以及物态和临界现象研究中的基本参量和判据，既具有宏观品质又可反映微观相互作用是材料物理学中一个重要的特征量。 但实际中仍会有许多未解决的难题，例如塑性变形是位错滑移和孪生的结果，而位错、裂纹、孔洞、夹杂又往往聚集于界面，是最易产生应力集中，形成界面裂纹、界面夹杂等界面缺陷的部位，对于实际复合材料来说，在制造和使用过程中不可避免会产生界面缺陷。因此，研究具有界面缺陷的夹杂与位错的相互作用，具有重要的理论意义和实用价值，不仅有助于全面理解材料的强化和韧化机理，而且能为建立复合材料的界面断裂破坏准则提供科学依据。 全面而确切地表征界面是了解界面性质并进而控制和改善材料的最重要基础之一，广大研究工作者在这方面做出了巨大努力并取得了重要进展。但由于界面或界面层是亚微米以下的极薄的一