数字电子技术2版1节.pptVIP

1）栅-源电压uGS＝0时 2）栅-源电压uGS＞0，漏-源电压uDS＝0时 3）uDS和uGS同时作用 s d B uGS uDS＝0 s d B uGS uDS g g P N+ N+ N+ N+ P （3）特性曲线 （uGS＞UTN） IDO uDS iD 0 uGS/V iD 0 2 4 2. 增强型MOS管的开关特性 （1）静态开关特性 （2）动态开关特性 本章结束 馋死 PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * * * * * * 任一形式的逻辑函数均可变换成最小项表达式，例如： 2. 用卡诺图表示逻辑函数 （1）卡诺图的构成 （2）已知逻辑函数画出卡诺图 例1-5 画出4变量逻辑函数 解： AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 1 1 1 1 图1-10 最小项逻辑函数表达式 填入卡诺图的方法 图1-11 非最小项逻辑函数表达式填入卡诺图的方法 CD CD AB 00 01 11 10 AB 00 01 11 10 00 00 1 1 01 1 1 01 1 1 11 1 11 1 1 1 1 10 1 10 1 例1-6 已知逻辑函数F＝AB＋ACD +AD＋BCD，试直接将其填写在卡诺图中。 3. 用卡诺图化简逻辑函数 （1）相邻方格的合并规则 　（A）任何两个（21个）相邻最小项，可以合并为一项，并消去一个变量（消去互为反变量的因子，保留公因子）。 CD AB AB CD 　（B）任何4个（22个）相邻最小项，可以合并为一项，并消去2个变量。 BD CD AB CD AB BD （C）任何8个（23个）相邻最小项，可以合并为一项，并消去3个变量。 AB CD AB CD 小结： 相邻最小项的数目必须为2n个才能合并为一项，并消去个变量; 圈越大，消去的变量也就越多，得到的逻辑表达式就越简单。 D Ｂ 例1-7 用卡诺图法化简逻辑函数 F＝ AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 1 1 1 1 图1-13 例1-7要求化简的逻辑函数F的卡诺图 1 1 1 1 1 F＝ 1.6 具有无关项逻辑函数的化简 例1-8 用卡诺图化简具有无关项的逻辑函数F＝∑m(0，2，5，8，15)＋∑ф(7，10，13) AB CD 00 01 11 10 00 01 11 10 1 1 Φ 1 1 Φ 1 Φ 图1-15 例1-8利用无关项 化简的卡诺图 F＝ ＋BD 1.7 数字电路中的半导体器件 1.7.1 本征半导体 1. 半导体和本征半导体 2. 本征半导体的原子结构及共价键 Ge Si 图1-16 Si（或Ge）的原子结构和共价键结构 3. 本征激发及两种载流子——自由电子和空穴 图1-17 电子空穴对和束缚电子 填补空穴的运动 1.7.2 杂质半导体 1. N型半导体 图1-18 N型半导体中的共价键结构 +5 多余电子 2. P型半导体 图1-19 P型半导体中的共价键结构 +3 多余空穴 1.7.3 PN结及其单向导电性 1. PN结的形成 P N PN结 图l-20 PN结的形成示意图 2. PN结的单向导电性 外电场方向 内电场方向 空间电荷区 V R I P N 空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。 （1） PN 外加正向电压 图l-21 PN结的单向导电性 空间电荷区 图l-21 PN结的单向导电性 　　当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS （1） PN 外加反