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《光电材料与器件》知识点总结 电磁波波长范围： 光辐射： 可见光： 在常温下（约300K），景物本身的热辐射构成了红外线辐射分布的图像，但人眼却不能直接感受到这种红外图像。 光电器件的任务：1）获取光辐射所传递信息，将不可见的光辐射图像转换为可见光图像。2）光电器件是把输入的光信号转换为电信号输出的功能器件，在光电系统中的作用是发现信号、测量信号并为随后的应用提取某些必要的信息。 光电器件可以在用途上分为： 探测微弱信号的存在及其强弱的探测器件；要求：灵敏度高，噪声低 用于控制系统中作光电转换器；主要考虑光电转换的效能 真空光电器件：器件内部为真空环境，入射辐射激发的光电子在真空中实现加速、倍增以及聚焦成像过程。 固体光电器件：利用光电导效应、光伏效应等内光电效应的器件，光生载流子在固体材料中运动。 利用光电导效应制成的光电器件称为光电导器件，俗称为光敏电阻。 光电器件的特性参数 内光电效应的长波限主要由禁带宽度（或）决定；外光电效应的长波限由逸出功决定。其短波限主要取决于材料对光的吸收。 响应度及量子效率仅由器件的响应特性所决定，而与光源无关。响应度实质上反映了器件的灵敏程度。所以在许多场合下响应度又叫灵敏度，而相应的就把光谱响应度叫做光谱灵敏度。 荧光屏的惰性表现为余辉，它来源于荧光粉受激发光过程中电子被陷阱能级暂态俘获。陷阱能力释放所俘获电子的时间分散决定了发光的延迟，发光在下降过程的滞后比上升过程严重。 惰性的时间常数定义为： 其中为衰减函数 当惰性的衰减函数呈负指数时，即 可求得 光电转换的惰性主要表现在衰减的过程当中 脉冲响应函数：1）比例函数衰减型：当a增大时，惰性成比例减小；2）负指数函数衰减型：当b增大时，惰性呈指数规律减小；3）双曲函数衰减型：表现出较为严重的惰性。 脉冲响应函数可以全面定量的描述光电器件的时间响应特性。 光电导效应及器件 光电导理论分析：注意光子数为 本征光电导分为三种情形：1）直接复合2）通过复合中心的间接复合3）少数载流子的陷获。以上三者在激发光强度低时总是存在一个线性工作区，即光电导响应是线性的。 本征光电导器件的响应度（不考虑载流子浓度梯度及表面复合） alpha×d1 保证在厚度为d的探测器内能对入射光有较良好的吸收 本征光电导器件的响应度（考虑载流子浓度梯度及表面复合） 杂质光电导探测器的响应度 光伏效应及器件 最常见的光伏效应器件是利用半导体P-N结光生伏特效应而制成的光电器件，按照对光照敏感“结”的类型不同，又可分为... 光伏器件与光电导器件主要区别：书本P116页 由于电场作用而产生的沿电场力方向的定向运动称作漂移运动 P-N结中多子从浓度大向浓度小的区域扩散，称扩散运动。扩散运动产生扩散电流。 如何提高P-N结光伏器件的响应率 入射辐射平行于结平面照射： 入射辐射垂直于结平面照射 噪声： 当施加一反向偏压时，散粒噪声将减小一半。 比探测率 （零偏电阻/增量电阻） 零偏电阻也是P-N结光伏器件的一个重要参数，直接反映了器件性能的优劣。 在光电二极管的设计中应该注意以下几个方面的问题： 为了改善短波光谱响应，必须做到：书本P130 改善长波光谱响应的主要措施有：同上 雪崩光电二极管：APD, Avalanche Photo Diode APD是借助强电场作用产生载流子倍增效应（即雪崩倍增效应）而具有内增益的一种高速光电二极管。 工作过程：在P-N结上加一相当高的反向偏压，使结区产生一个很强的电场，当光激发的载流子或热激发的载流子进入结区后，在强电场的加速下获得很大的能量，与晶格原子碰撞而使晶格原子发生电离，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴对在向电极运动过程中又获得足够能量，再次与晶格原子碰撞，又产生新的电子-空穴对。这一过程不断重复，使P-N结内电流急剧倍增，这种现象称为雪崩倍增效应。 APD的电流倍增用倍增因子M表示，有 其中为击穿电压；为外加反向电压；，取决于半导体材料、掺杂分布、以及辐射波长。 光电三极管： 光电三极管等效于一个光电二极管与一般晶体管基极、集电极并联。集电极-基极光电二极管产生的光电流输入到共射三极管的基极再得到放大。与一般晶体管不同的是，集电极电流（光电流）由集电结上产生的控制。集电结起双重作用：把光信号变成电信号，起光电二极管作用；使光电流再放大，起一般晶体管集电结作用。 光电子发射与次级电子发射 这里的单位需要注意一下，逸出功的单位是电子伏特，波长的单位是微米。 电真空光电成像器件多采用透射式光阴极。由于光阴极吸收光的有效深度和光电子逸出的有效深度都很小，所以透射式光阴极的厚度有着严格的控制，通常为呈半透明状的薄层。而反射式的厚度可以稍厚一些。 受激电子逸出表面的几率： 到达表面时能量为E的电